30.000W Medium Power PNP Plastic Leaded Transistor. 60V Vceo, 2.000A Ic, 40 hFE. The BD240A is a PNP power transistor manufactured by FSC (Fairchild Semiconductor Corporation). Here are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Type**: PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -2A  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 25W (at T_c = 25°C)  
- **Junction Temperature (T_j)**: 150°C  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 25 to 250 (depending on operating conditions)  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on FSC's datasheet for the BD240A transistor.

30.000W Medium Power PNP Plastic Leaded Transistor. 60V Vceo, 2.000A Ic, 40 hFE. The BD240A is a PNP power transistor manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -2A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D)**: 30W (at 25°C)  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 20–250 (at I_C = 0.5A, V_CE = -4V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 3MHz (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -65°C to +150°C  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the BD240A.