30.000W Medium Power NPN Plastic Leaded Transistor. 100V Vceo, 2.000A Ic, 15 hFE. The BD239C is a silicon NPN power transistor manufactured by GILD. Here are its key specifications:

- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 100V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 100V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V  
- **Collector Current (I_C)**: 2A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 25W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40-250  
- **Transition Frequency (f_T)**: 3MHz  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  
- **Package**: TO-126  

These specifications are based on GILD's datasheet for the BD239C transistor.

30.000W Medium Power NPN Plastic Leaded Transistor. 100V Vceo, 2.000A Ic, 15 hFE. The BD239C is a silicon NPN power transistor manufactured by NS (NXP Semiconductors). Here are its key specifications:

- **Type**: NPN transistor
- **Material**: Silicon
- **Package**: TO-126
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 80V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 80V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 2A
- **Power Dissipation (Ptot)**: 25W
- **DC Current Gain (hFE)**: 25 to 250 (depending on operating conditions)
- **Transition Frequency (fT)**: 3MHz (typical)
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C

These specifications are based on the manufacturer's datasheet.

30.000W Medium Power NPN Plastic Leaded Transistor. 100V Vceo, 2.000A Ic, 15 hFE. The BD239C is a power transistor manufactured by STMicroelectronics (ST). Here are its key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: TO-126  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 100V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 100V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V  
- **Collector Current (I_C)**: 2A (continuous)  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 25W (at T_c = 25°C)  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 25 to 250 (at I_C = 0.5A, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 3MHz (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j)**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on STMicroelectronics' datasheet for the BD239C.

30.000W Medium Power NPN Plastic Leaded Transistor. 100V Vceo, 2.000A Ic, 15 hFE. The BD239C is a silicon NPN power transistor. Here are the key specifications from Texas Instruments (TI):

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 100V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 100V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 2A  
- **Power Dissipation (PD):** 25W  
- **DC Current Gain (hFE):** 25 to 250  
- **Transition Frequency (fT):** 3MHz  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

These specifications are based on TI's datasheet for the BD239C transistor.