30.000W Medium Power NPN Plastic Leaded Transistor. 100V Vceo, 2.000A Ic, 15 hFE. The BD239C is a silicon NPN power transistor manufactured by Texas Instruments (TI).  

**Key Specifications:**  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 100V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 100V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 2A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 25W (with heatsink)  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40 to 250 (at I_C = 0.5A, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 3MHz (typical)  
- **Package:** TO-220  

**Applications:**  
- Power amplification  
- Switching circuits  
- General-purpose amplification  

This information is based on TI's datasheet for the BD239C.

30.000W Medium Power NPN Plastic Leaded Transistor. 100V Vceo, 2.000A Ic, 15 hFE. The BD239C is a silicon NPN power transistor manufactured by STMicroelectronics.  

**Key Specifications:**  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 100V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 100V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 2A (continuous)  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 25W (at 25°C case temperature)  
- **DC Current Gain (h_FE):** 25 to 250 (at I_C = 0.5A, V_CE = 2V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 3MHz (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -65°C to +150°C  
- **Package:** TO-126  

**Applications:**  
- General-purpose power amplification  
- Switching applications  
- Linear regulators  

This transistor is designed for medium-power applications requiring high voltage and current handling.