NPN Epitaxial Silicon Transistor The BD239ATU is a silicon NPN power transistor manufactured by FAIRCHILD. Below are its key specifications:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 100V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 100V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 2A  
- **Power Dissipation (PD):** 25W  
- **DC Current Gain (hFE):** 25-250 (at IC = 0.5A, VCE = 2V)  
- **Transition Frequency (fT):** 3MHz (min)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -65°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

These specifications are based on FAIRCHILD's datasheet for the BD239ATU.