Leaded Power Transistor General Purpose The BD235 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by STMicroelectronics. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -45V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -2A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 25W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 15-75 (at I_C = -500mA, V_CE = -5V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 3MHz  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  
- **Package**: TO-126  

These specifications are based on STMicroelectronics' datasheet for the BD235.

Leaded Power Transistor General Purpose The BD235 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by **PH (Philips)**. Below are its key specifications:  

- **Type:** PNP  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** -45V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -2A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 25W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 20-250 (depending on operating conditions)  
- **Transition Frequency (f_T):** 3MHz  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +150°C  
- **Package:** TO-126  

These specifications are based on the original Philips datasheet.

Leaded Power Transistor General Purpose The BD235 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by HITACHI. Below are its key specifications:

1. **Type**: PNP  
2. **Material**: Silicon (Si)  
3. **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -45V  
4. **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -45V  
5. **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
6. **Collector Current (IC)**: -1.5A  
7. **Power Dissipation (Ptot)**: 25W  
8. **Transition Frequency (fT)**: 3MHz  
9. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
10. **Package**: TO-220  

These specifications are based on HITACHI's datasheet for the BD235 transistor.

Leaded Power Transistor General Purpose The BD235 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications:  

- **Type**: PNP  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -45V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -2A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 25W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 25–160  
- **Transition Frequency (f_T)**: 3MHz  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  
- **Package**: TO-126  

These specifications are based on STMicroelectronics' datasheet for the BD235 transistor.