Leaded Power Transistor General Purpose Part BD234 is manufactured by ST (STMicroelectronics). Here are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: TO-126  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 45V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 45V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V  
- **Collector Current (IC)**: 2A  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 12.5W  
- **DC Current Gain (hFE)**: 25 to 250 (depending on operating conditions)  
- **Transition Frequency (fT)**: 3MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  

This information is based on STMicroelectronics' datasheet for the BD234 transistor.