Leaded Power Transistor General Purpose The BD233 is a silicon NPN power transistor manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications:

- **Type**: NPN
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 45V
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 45V
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V
- **Collector Current (I_C)**: 2A (continuous)
- **Power Dissipation (P_tot)**: 25W (at 25°C)
- **DC Current Gain (h_FE)**: 25-160 (at I_C = 0.5A, V_CE = 2V)
- **Transition Frequency (f_T)**: 3MHz (typical)
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C
- **Package**: TO-126

These specifications are based on STMicroelectronics' datasheet for the BD233 transistor.