isc Silicon NPN Power Transistor The part BD232 is a PNP power transistor manufactured by PHI (Philips). Here are its key specifications:

- **Type**: PNP bipolar junction transistor (BJT)
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -45V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -100V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Power Dissipation (Ptot)**: 36W
- **DC Current Gain (hFE)**: 15-75 (at IC = -1.5A, VCE = -4V)
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-126

These specifications are based on standard datasheet information from PHI.

isc Silicon NPN Power Transistor The BD232 is a power transistor manufactured by **MOTOROLA** (not "MOT").  

### **Key Specifications (BD232):**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -100V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -60V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -3A (max)  
- **Power Dissipation (Ptot):** 36W (with heat sink)  
- **DC Current Gain (hFE):** 25–100 (varies with operating conditions)  
- **Package:** TO-220 (plastic case)  

### **Applications:**  
- Power amplification  
- Switching circuits  
- Voltage regulation  

Note: Always refer to the official datasheet for precise operating conditions.