isc Silicon NPN Power Transistor The BD201F is a PNP power transistor manufactured by ROHM. Below are its key specifications:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Collector Current (IC)**: -2A  
- **Power Dissipation (PD)**: 1W  
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -1A)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on ROHM's datasheet for the BD201F transistor.

isc Silicon NPN Power Transistor The part BD201F is manufactured by PHILIPS. Here are the specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Type**: NPN Darlington transistor  
- **Package**: TO-220  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 100V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 100V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V  
- **Collector Current (IC)**: 8A  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 40W  
- **DC Current Gain (hFE)**: 750 (min)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These are the confirmed technical details for the BD201F transistor from PHILIPS.