Leaded Power Transistor General Purpose The BD175 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by STMicroelectronics.  

**Key Specifications:**  
- **Type:** PNP  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -45V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -45V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -1.5A  
- **Total Power Dissipation (Ptot):** 12.5W  
- **DC Current Gain (hFE):** 40 to 160 (at IC = -150mA, VCE = -5V)  
- **Transition Frequency (fT):** 3MHz (min)  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +150°C  

**Package:** TO-126 (also known as SOT-32)  

This transistor is commonly used in general-purpose amplification and switching applications.

Leaded Power Transistor General Purpose The BD175 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications:

- **Type**: PNP  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -45V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -45V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Collector Current (IC)**: -1.5A  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 12.5W  
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 250 (at IC = 500mA, VCE = -5V)  
- **Transition Frequency (fT)**: 3MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  
- **Package**: TO-126  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet. For precise details, always refer to the official documentation.