20.000W Medium Power NPN Plastic Leaded Transistor. 250V Vceo, 0.500A Ic, 30 The part BD157 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by PH (Philips). Below are its key specifications:  

- **Type:** PNP  
- **Material:** Silicon (Si)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** -60V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -60V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** -1A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 8W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 25-250 (varies with operating conditions)  
- **Transition Frequency (f_T):** 3MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +150°C  
- **Package:** TO-39 (metal can)  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet.