**Key Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** TO-126  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 80V  
- **Collector Current (I_C):** 1.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 12.5W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40 to 250  
- **Transition Frequency (f_T):** 190MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

This transistor is commonly used in amplification and switching applications.