Leaded Power Transistor General Purpose The BD136 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ON Semiconductor (formerly part of STMicroelectronics). Here are its key specifications:

- **Type**: PNP  
- **Package**: TO-126  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -45V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -1.5A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 12.5W (at 25°C)  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 25–250 (at I_C = -150mA, V_CE = -5V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 50MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  

Applications include general-purpose amplification and switching.  

(Source: ON Semiconductor datasheet)