**Key Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** TO-126 (also known as SOT-32)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 45V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 1.5A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_tot):** 12.5W (at 25°C)  
- **DC Current Gain (h_FE):** 25 to 250 (depending on operating conditions)  
- **Transition Frequency (f_T):** 190 MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

**Applications:**  
- General-purpose amplification  
- Switching applications  
- Audio amplifiers  
- Voltage regulators  

**Complementary PNP Transistor:** BD136 (for push-pull configurations)  

For exact datasheet details, refer to ON Semiconductor's official documentation.