12.500W Switching NPN Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 1.500A Ic, 100 The BD135-16 is an NPN transistor manufactured by STMicroelectronics (ST). Here are its key specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: NPN Epitaxial Silicon Transistor  
2. **Package**: SOT-32 (TO-126)  
3. **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -45V  
4. **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -45V  
5. **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V  
6. **Collector Current (I_C)**: 1.5A (DC)  
7. **Total Power Dissipation (P_tot)**: 12.5W (at T_case ≤ 25°C)  
8. **Junction Temperature (T_j)**: 150°C  
9. **DC Current Gain (h_FE)**: 25 to 250 (at I_C = 0.5A, V_CE = 2V)  
10. **Transition Frequency (f_T)**: 190MHz (typical)  

These specifications are based on STMicroelectronics' official datasheet for the BD135-16 transistor.