Leaded Small Signal Transistor General Purpose The BCY79 is a PNP silicon planar epitaxial transistor manufactured by STMicroelectronics.  

**Key Specifications:**  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -25 V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -40 V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5 V  
- **Collector Current (IC):** -1 A  
- **Total Power Dissipation (Ptot):** 830 mW  
- **Junction Temperature (Tj):** 150 °C  
- **DC Current Gain (hFE):** 40 to 250 (depending on variant)  
- **Transition Frequency (fT):** 50 MHz  

**Package:** TO-18 metal can  

**Variants:**  
- BCY79 (standard)  
- BCY79A (higher gain range)  
- BCY79B (lower gain range)  

**Applications:** General-purpose amplification and switching.  

For exact datasheet details, refer to STMicroelectronics' official documentation.

Leaded Small Signal Transistor General Purpose The BCY79 is a PNP silicon planar epitaxial transistor manufactured by Motorola (MOT) and STMicroelectronics (ST).  

### **Manufacturer Specifications (MOT/ST):**  
- **Type:** PNP silicon transistor  
- **Package:** TO-18 metal can  
- **Maximum Ratings:**  
  - Collector-Base Voltage (V_CB): -30V  
  - Collector-Emitter Voltage (V_CE): -25V  
  - Emitter-Base Voltage (V_EB): -5V  
  - Collector Current (I_C): -200mA  
  - Total Power Dissipation (P_tot): 300mW (at 25°C)  
  - Operating Temperature Range (T_j): -65°C to +200°C  

- **Electrical Characteristics (Typical @ 25°C):**  
  - DC Current Gain (h_FE): 100–250 (at I_C = -2mA, V_CE = -5V)  
  - Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)): -0.25V (at I_C = -10mA, I_B = -1mA)  
  - Transition Frequency (f_T): 150MHz (at I_C = -10mA, V_CE = -5V)  

- **Applications:**  
  - General-purpose amplification  
  - Switching circuits  

The specifications are based on datasheets from Motorola (MOT) and STMicroelectronics (ST).