SMD Small Signal Transistor NPN Low Noise The BCX70G is a PNP silicon planar epitaxial transistor manufactured by SIEMENS.  

**Key Specifications:**  
- **Type:** PNP  
- **Material:** Silicon  
- **Structure:** Planar epitaxial  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -45 V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** -50 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** -5 V  
- **Collector Current (I_C):** -1 A  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 1 W  
- **Transition Frequency (f_T):** 100 MHz  
- **Operating Temperature Range (T_j):** -55°C to +150°C  

**Package:** TO-226 (SOT-23)  

This transistor is designed for general-purpose amplification and switching applications.

SMD Small Signal Transistor NPN Low Noise The BCX70G is a general-purpose NPN transistor manufactured by PHILIPS (now NXP Semiconductors).  

**Key Specifications:**  
- **Type:** NPN  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 1A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 to 250 (at I_C = 100mA, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz  
- **Package:** SOT89  

This transistor is commonly used in amplification and switching applications.  

(Note: PHILIPS' semiconductor division became NXP Semiconductors in 2006.)

SMD Small Signal Transistor NPN Low Noise The BCX70G is a PNP general-purpose transistor manufactured by Infineon. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -45 V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50 V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5 V
- **Collector Current (IC)**: -100 mA
- **Power Dissipation (Ptot)**: 330 mW
- **DC Current Gain (hFE)**: 100 to 250 (at IC = -2 mA, VCE = -5 V)
- **Transition Frequency (fT)**: 100 MHz (typical)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: SOT-23 (Surface Mount)

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BCX70G transistor.