PNP Silicon AF Transistors (For general AF applications High collector current) The BCX69-25 is a PNP bipolar transistor manufactured by SIEMENS.  

**Key Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -25V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -40V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -1A  
- **Power Dissipation (Ptot):** 1W  
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz  
- **Gain Bandwidth Product:** Not specified  
- **Package:** SOT-23  

This information is based on the SIEMENS datasheet for the BCX69-25 transistor.

PNP Silicon AF Transistors (For general AF applications High collector current) The BCX69-25 is a PNP transistor manufactured by Infineon Technologies.  

**Key Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -25 V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** -40 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** -5 V  
- **Collector Current (I_C):** -1 A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_tot):** 0.33 W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40 to 250 (at I_C = -100 mA, V_CE = -1 V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 100 MHz  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

This transistor is commonly used in amplification and switching applications.

PNP Silicon AF Transistors (For general AF applications High collector current) The BCX69-25 is a PNP transistor manufactured by Infineon. Here are its key specifications:  

- **Type**: PNP  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -25 V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -30 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5 V  
- **Collector Current (I_C)**: -1 A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1 W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 250  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100 MHz  
- **Package**: SOT-89  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BCX69-25 transistor.