PNP Silicon AF Transistors (For general AF applications High collector current) The BCX69-10 is a PNP transistor manufactured by Infineon. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT-89  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -45 V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -50 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5 V  
- **Collector Current (I_C)**: -1 A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1 W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100 to 250 (at I_C = -100 mA, V_CE = -5 V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100 MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BCX69-10 transistor.

PNP Silicon AF Transistors (For general AF applications High collector current) The BCX69-10 is a PNP bipolar transistor manufactured by SIEMENS (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -45V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -1A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 250 (at I_C = -150mA, V_CE = -5V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOT-89 (SC-62)  

This transistor is designed for general-purpose amplification and switching applications.