NPN Silicon AF Transistors (High current gain Low collector-emitter saturation voltage) The BCX59 is a general-purpose NPN transistor manufactured by Siemens. Here are its key specifications:

- **Type**: NPN bipolar junction transistor (BJT)
- **Package**: SOT23 (Surface-Mount)
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 80V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 80V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V  
- **Collector Current (IC)**: 1A (max)  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 330mW  
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz  
- **DC Current Gain (hFE)**: 40–250 (varies by variant)  

These specifications are based on Siemens' datasheet for the BCX59 transistor.