NPN Silicon AF Transistor The BCX58 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by **SIEMENS**. Here are its key specifications:  

- **Type**: PNP transistor  
- **Material**: Silicon (Si)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: -30V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -30V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5V  
- **Continuous Collector Current (I_C)**: -1A  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 0.83W  
- **Junction Temperature (T_j)**: 150°C  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40–160 (at I_C = -0.1A, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 50MHz  

These specifications are based on SIEMENS' datasheet for the BCX58 transistor.