SMD Small Signal Transistor NPN High Current The BCX55-10 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by PHILIPS. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP  
- **Material**: Silicon (Si)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: -80 V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -80 V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5 V  
- **Continuous Collector Current (I_C)**: -1 A  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 1 W (at 25°C)  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 250 (at I_C = -150 mA, V_CE = -5 V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100 MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-92  

These are the factual specifications for the BCX55-10 transistor from PHILIPS.

SMD Small Signal Transistor NPN High Current The BCX55-10 is a general-purpose NPN transistor manufactured by PHILIPS.  

**Key specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 80V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 6V  
- **Collector Current (I_C):** 1A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_tot):** 1W (at 25°C)  
- **DC Current Gain (h_FE):** 60–160 (at I_C = 100mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-92  

**Applications:**  
- Switching and amplification in low-power circuits  
- Driver stages in audio and RF applications  
- General-purpose electronic circuits  

PHILIPS (now part of NXP Semiconductors) originally produced this transistor, but availability may vary due to discontinuation or rebranding.

SMD Small Signal Transistor NPN High Current The BCX55-10 is a PNP transistor manufactured by NXP. Below are its key specifications:

- **Type**: PNP  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -45 V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -50 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5 V  
- **Collector Current (I_C)**: -1 A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1.25 W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 250  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100 MHz  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  
- **Package**: SOT89  

These specifications are based on NXP's datasheet for the BCX55-10 transistor.