NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT89 The part BCX5410TA is manufactured by ZETEX-DIODES. It is a PNP silicon planar epitaxial transistor designed for general-purpose amplifier and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -1A  
- **Total Power Dissipation (PTOT):** 1W  
- **DC Current Gain (hFE):** 40 to 250 (at IC = -100mA, VCE = -5V)  
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz (min)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-89  

This transistor is suitable for low-voltage, high-speed switching and amplification in various electronic circuits.

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT89 The part BCX5410TA is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by **ROHM Semiconductor**.  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** PNP Transistor  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -1A  
- **Power Dissipation (Ptot):** 1W  
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 400  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-89  

This transistor is commonly used in amplification and switching applications.  

For exact details, refer to the official **ROHM datasheet**.