SMD Small Signal Transistor NPN High Current The BCX54-16 is a PNP transistor manufactured by PHI (Philips). Below are its key specifications:

1. **Type**: PNP transistor  
2. **Package**: SOT-89  
3. **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -80V  
4. **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -80V  
5. **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
6. **Collector Current (IC)**: -1A  
7. **Power Dissipation (Ptot)**: 1.5W  
8. **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 160 (at IC = 100mA, VCE = -2V)  
9. **Transition Frequency (fT)**: 100MHz (typical)  
10. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on PHI's datasheet for the BCX54-16 transistor.

SMD Small Signal Transistor NPN High Current The BCX54-16 is a PNP transistor manufactured by NXP/Philips. Below are its key specifications:

- **Type**: PNP  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -80 V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -80 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5 V  
- **Collector Current (I_C)**: -1 A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1.5 W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 160 (at I_C = -150 mA, V_CE = -5 V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100 MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOT89  

These specifications are based on NXP/Philips datasheet data.

SMD Small Signal Transistor NPN High Current The BCX54-16 is a PNP transistor manufactured by NXP. Below are its key specifications:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -80 V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -80 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5 V  
- **Collector Current (I_C)**: -1 A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1.5 W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 160 (at I_C = -100 mA, V_CE = -2 V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100 MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOT89 (SC-62)  

These specifications are based on NXP's datasheet for the BCX54-16 transistor.

SMD Small Signal Transistor NPN High Current The BCX54-16 is a PNP transistor manufactured by Infineon. Here are its key specifications:

1. **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
2. **Package**: SOT-89  
3. **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -80 V  
4. **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -80 V  
5. **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5 V  
6. **Collector Current (I_C)**: -1 A  
7. **Power Dissipation (P_tot)**: 1 W  
8. **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 250 (at I_C = -150 mA, V_CE = -2 V)  
9. **Transition Frequency (f_T)**: 100 MHz  
10. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BCX54-16 transistor.

SMD Small Signal Transistor NPN High Current The BCX54-16 is a PNP epitaxial silicon transistor manufactured by 长电 (Changjiang Electronics). Here are its key specifications:  

- **Type**: PNP  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -80V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -80V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -1A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 60–160 (at I_C = -150mA, V_CE = -5V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOT-89  

This information is based on the manufacturer's datasheet.

SMD Small Signal Transistor NPN High Current The BCX54-16 is a PNP transistor manufactured by PHILIPS (now NXP Semiconductors). Here are its key specifications:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT-89  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -80V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -80V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -1A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1.5W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 60–160 (at I_C = -100mA, V_CE = -2V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on PHILIPS/NXP datasheets.

SMD Small Signal Transistor NPN High Current The BCX54-16 is a PNP transistor manufactured by PHILIPS (now NXP Semiconductors).  

**Key Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -80V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** -80V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -1A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40 to 160 (at I_C = -100mA, V_CE = -2V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz (typical)  
- **Package:** SOT-89  

This transistor is designed for general-purpose amplification and switching applications.