### **Key Specifications:**  
- **Type:** PNP Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -100 V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -100 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5 V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** -1 A  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 1.25 W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40 to 160 (at I_C = -100 mA, V_CE = -5 V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 50 MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT89  

### **Applications:**  
- General-purpose amplification  
- Switching applications  

For exact details, refer to the **Nexperia datasheet**.