SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS The BCX53-10 is a PNP transistor manufactured by ROHM. Below are its key specifications:  

- **Type**: PNP Bipolar Transistor  
- **Package**: TO-126  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -80V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -80V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Collector Current (IC)**: -1A  
- **Power Dissipation (PD)**: 1.5W  
- **DC Current Gain (hFE)**: 100 to 630 (at IC = -0.1A, VCE = -5V)  
- **Transition Frequency (fT)**: 50MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This transistor is commonly used in amplification and switching applications.

SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS The BCX53-10 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ROHM Semiconductor. Below are its key specifications:

- **Type**: PNP BJT  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -80V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -80V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Collector Current (IC)**: -1A  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 1W  
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400 (at IC = -100mA, VCE = -5V)  
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz (min)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-92  

These specifications are based on ROHM's datasheet for the BCX53-10 transistor.

SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS The BCX53-10 is a PNP transistor manufactured by NXP/Philips. Below are its key specifications:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT89  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -80 V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -80 V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5 V  
- **Collector Current (IC)**: -1 A  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 1 W  
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 250 (at IC = 100 mA, VCE = -2 V)  
- **Transition Frequency (fT)**: 50 MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on NXP/Philips datasheets.

SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS The BCX53-10 is a PNP transistor manufactured by Infineon. Here are its key specifications:

- **Type:** PNP  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -50 V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -80 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5 V  
- **Collector Current (I_C):** -1 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 1.5 W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40 to 160  
- **Transition Frequency (f_T):** 50 MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-89  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BCX53-10 transistor.

SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS The BCX53-10 is a PNP transistor manufactured by PHILIPS. Here are its key specifications:  

- **Type**: PNP  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -80V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -80V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -1A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40-160  
- **Transition Frequency (f_T)**: 50MHz  
- **Package**: TO-92  

This information is based on the manufacturer's datasheet.

SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS The BCX53-10 is a PNP transistor manufactured by PHILIPS (now NXP Semiconductors).  

**Key Specifications:**  
- **Type:** PNP bipolar transistor  
- **Package:** SOT89 (SC-62)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -80V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -80V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -1A  
- **Power Dissipation (Ptot):** 1W  
- **DC Current Gain (hFE):** 40 to 250 (at IC = 100mA, VCE = -2V)  
- **Transition Frequency (fT):** 50MHz  

This transistor is commonly used in amplification and switching applications.  

(Note: PHILIPS' semiconductor division became NXP Semiconductors in 2006.)

SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS The BCX53-10 is a PNP transistor manufactured by PHI (Philips). Below are its key specifications:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT-89  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -80V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Collector Current (IC)**: -1A  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 1W  
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 250 (at IC = 100mA, VCE = -5V)  
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on PHI's datasheet for the BCX53-10 transistor.