SMD Small Signal Transistor PNP High Current The BCX52-10 is a PNP transistor manufactured by PHILIPS. Below are its key specifications:

- **Type**: PNP transistor  
- **Package**: SOT89  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -45V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Collector Current (IC)**: -1A  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 1W  
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz  
- **DC Current Gain (hFE)**: 100-250 (at IC = 100mA, VCE = -5V)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on the datasheet from PHILIPS.

SMD Small Signal Transistor PNP High Current The BCX52-10 is a PNP transistor manufactured by PHILIPS (now NXP Semiconductors). Here are its key specifications:

- **Type**: PNP bipolar junction transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -30 V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -30 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5 V  
- **Collector Current (I_C)**: -1 A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1 W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 250 (at I_C = 100 mA, V_CE = -1 V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 50 MHz  
- **Package**: SOT-89 (SC-62)  

These specifications are based on PHILIPS/NXP datasheet data.

SMD Small Signal Transistor PNP High Current The BCX52-10 is a PNP transistor manufactured by NXP. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -30 V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -30 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5 V  
- **Collector Current (I_C)**: -1 A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1 W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 250  
- **Transition Frequency (f_T)**: 50 MHz  
- **Package**: SOT89 (SC-62)  

These specifications are based on NXP's datasheet for the BCX52-10 transistor.

SMD Small Signal Transistor PNP High Current The BCX52-10 is a PNP transistor manufactured by Infineon. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT-89  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -60 V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -80 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5 V  
- **Continuous Collector Current (I_C)**: -1 A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1 W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 250 (at I_C = -100 mA, V_CE = -2 V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 50 MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BCX52-10 transistor.