SMD Small Signal Transistor PNP High Current The BCX51-10 is a PNP transistor manufactured by NXP/Philips. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP bipolar transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -45 V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -45 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5 V  
- **Collector Current (I_C)**: -1 A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1 W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 250 (at I_C = -100 mA, V_CE = -5 V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 50 MHz  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  
- **Package**: SOT89  

These specifications are based on NXP/Philips datasheet data.

SMD Small Signal Transistor PNP High Current The BCX51-10 is a PNP silicon planar epitaxial transistor manufactured by PHILIPS.  

**Key Specifications:**  
- **Type:** PNP  
- **Material:** Silicon  
- **Structure:** Planar epitaxial  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** -30 V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -25 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** -5 V  
- **Collector Current (I_C):** -1 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 1 W  
- **Transition Frequency (f_T):** 100 MHz  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40 - 250 (at I_C = 100 mA, V_CE = -1 V)  
- **Package:** TO-92  

These are the factual specifications for the PHILIPS BCX51-10 transistor.

SMD Small Signal Transistor PNP High Current The BCX51-10 is a PNP transistor manufactured by PHILIPS.  

**Specifications:**  
- **Type:** PNP  
- **Material:** Silicon  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** -45V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -45V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** -1A  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 1W  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40-250  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-92  

These are the key specifications for the BCX51-10 transistor from PHILIPS.

SMD Small Signal Transistor PNP High Current The BCX51-10 is a PNP transistor manufactured by NXP/Philips. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -45 V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50 V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5 V  
- **Collector Current (IC)**: -1 A  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 1 W  
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 - 250  
- **Transition Frequency (fT)**: 50 MHz  
- **Package**: SOT89  

These are the factual specifications for the BCX51-10 transistor from NXP/Philips.

SMD Small Signal Transistor PNP High Current The BCX51-10 is a PNP transistor manufactured by PHI (Pulse Electronics). Here are its key specifications:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -1A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 60 to 300 (at I_C = 100mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOT-89  

These are the factual specifications provided for the BCX51-10 by PHI.