NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS The BCX38B is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by **Diodes Incorporated**.  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** NPN Transistor  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 25V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Continuous Collector Current (IC):** 1A  
- **Total Power Dissipation (Ptot):** 625mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 40 to 250 (at IC = 500mA, VCE = 1V)  
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **TO-92 (Standard Through-Hole Package)**  

### **Applications:**  
- General-purpose amplification  
- Switching circuits  
- Driver stages  

For exact datasheet details, refer to the manufacturer's official documentation.

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS The BCX38B is a PNP general-purpose transistor manufactured by BCX. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP transistor  
- **Material**: Silicon  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -25V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -1A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 830mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40-250 (at I_C = -150mA)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOT-89  

These specifications are based on standard datasheet information. For precise details, always refer to the manufacturer's official documentation.

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS The BCX38B is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are its key specifications:

- **Type:** PNP  
- **Package:** SOT-89  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -32V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** -40V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -1A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_tot):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 60 to 300 (at I_C = -100mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

These specifications are based on the datasheet from ZETEX/Diodes Incorporated.