**Key Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -45V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Continuous Collector Current (IC):** -1A  
- **Total Power Dissipation (Ptot):** 1W  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 to 250 (at IC = -150mA, VCE = -5V)  
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  

**Typical Applications:**  
- Amplification  
- Switching circuits  
- General-purpose PNP transistor applications  

For exact performance characteristics, refer to the official NXP datasheet.