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BC808-25 from ITT

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BC808-25

Manufacturer: ITT

0.250W General Purpose PNP SMD Transistor. 25V Vceo, 0.500A Ic, 160

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BC808-25,BC80825 ITT 6000 In Stock

Description and Introduction

0.250W General Purpose PNP SMD Transistor. 25V Vceo, 0.500A Ic, 160 The BC808-25 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ITT Semiconductors. Here are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: PNP  
2. **Material**: Silicon (Si)  
3. **Maximum Collector-Base Voltage (VCB)**: -25V  
4. **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCE)**: -25V  
5. **Maximum Emitter-Base Voltage (VEB)**: -5V  
6. **Collector Current (IC)**: -500mA (max)  
7. **Power Dissipation (Ptot)**: 625mW  
8. **Transition Frequency (fT)**: 100MHz (typical)  
9. **DC Current Gain (hFE)**: 100–250 (at IC = -2mA, VCE = -5V)  
10. **Package**: TO-92  

These are the factual specifications for the BC808-25 transistor as provided by ITT.

Application Scenarios & Design Considerations

0.250W General Purpose PNP SMD Transistor. 25V Vceo, 0.500A Ic, 160# BC80825 Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The BC80825 is a  PNP bipolar junction transistor  primarily employed in  switching and amplification circuits . Common applications include:

-  Low-power switching circuits  in consumer electronics
-  Signal amplification stages  in audio equipment
-  Driver circuits  for relays and small motors
-  Voltage regulation circuits  in power supplies
-  Interface circuits  between microcontrollers and higher-power devices

### Industry Applications
 Automotive Electronics : Used in dashboard displays, lighting controls, and sensor interfaces where moderate switching speeds and reliability are required.

 Consumer Electronics : Employed in remote controls, portable devices, and home appliances for power management and signal conditioning.

 Industrial Control Systems : Integrated into PLCs, motor controllers, and sensor arrays for robust performance in harsh environments.

 Telecommunications : Utilized in signal processing circuits and interface modules for reliable low-frequency operation.

### Practical Advantages
-  Low saturation voltage  (typically 0.5V) enables efficient switching
-  High current gain  (hFE 100-300) provides excellent amplification characteristics
-  Compact SOT-23 package  allows for high-density PCB layouts
-  Wide operating temperature range  (-55°C to +150°C) ensures reliability across environments
-  Cost-effective solution  for medium-performance requirements

### Limitations
-  Maximum collector current  of 500mA restricts high-power applications
-  Moderate switching speed  (transition frequency ~100MHz) limits high-frequency use
-  Voltage limitations  (VCEO = -45V) constrain high-voltage circuit designs
-  Thermal considerations  require proper heat dissipation in continuous operation

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions
 Thermal Runaway : 
-  Pitfall : Excessive base current causing temperature increase and current multiplication
-  Solution : Implement current limiting resistors and proper thermal management

 Saturation Issues :
-  Pitfall : Incomplete saturation leading to power dissipation and reduced efficiency
-  Solution : Ensure adequate base drive current (typically 1/10 of collector current)

 Voltage Spikes :
-  Pitfall : Inductive load switching causing voltage transients
-  Solution : Incorporate flyback diodes and snubber circuits

### Compatibility Issues
 Digital Microcontrollers : 
- Requires current-limiting resistors when interfacing with GPIO pins (typically 1-10kΩ)
- Ensure logic level compatibility (3.3V/5V systems)

 Power Supply Considerations :
- Stable voltage regulation required for consistent performance
- Decoupling capacitors (100nF) recommended near supply pins

 Mixed-Signal Circuits :
- Proper grounding essential to prevent noise coupling
- Separate analog and digital grounds when used in sensitive applications

### PCB Layout Recommendations
 Component Placement :
- Position close to driven loads to minimize trace inductance
- Maintain adequate clearance from heat-sensitive components

 Thermal Management :
- Use thermal vias in PCB for heat dissipation
- Consider copper pour connected to emitter for improved thermal performance

 Routing Guidelines :
- Keep base drive traces short to reduce noise susceptibility
- Use wider traces for collector and emitter paths carrying higher currents
- Implement proper ground planes for noise reduction

 Decoupling Strategy :
- Place 100nF ceramic capacitor within 10mm of device
- Additional 10μF bulk capacitor recommended for power supply stability

## 3. Technical Specifications

### Key Parameters
| Parameter | Symbol | Value | Unit | Conditions |
|-----------|---------|-------|------|------------|
| Collector-Emitter Voltage | VCEO | -45 | V | IC = 10mA |
| Collector-Base Voltage | VCBO | -50 | V | IC = 10μA |
| Emitter-B

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