N-channel 600V - 0.65OHM - 10A - I2/D2PAK - TO-220/FP - TO-247 Zener-protected SuperMESH TM Power MOSFET The B10NK60Z is a power MOSFET manufactured by SGS-THOMSON (now STMicroelectronics). Here are its key specifications:  

- **Type**: N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 40A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-State Resistance (R_DS(on))**: 0.65Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g)**: 45nC (typical)  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on STMicroelectronics' datasheet for the B10NK60Z.