IMT/WCDMA 3.4V/27.5dBm Linear Power Amplifier Module The part **AWT6252** is manufactured by **Freescale Semiconductor**.  

Key specifications of the **AWT6252** include:  
- **Type**: RF Power Transistor  
- **Technology**: LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide Semiconductor)  
- **Frequency Range**: Designed for RF applications, typically in the **2.1 GHz to 2.7 GHz** range  
- **Output Power**: High-power RF amplification (specific wattage depends on operating conditions)  
- **Voltage Rating**: Typically operates at **28V**  
- **Package**: Industry-standard ceramic/metal flange package for thermal management  
- **Application**: Used in **base stations, wireless infrastructure, and RF power amplifiers**  

For exact electrical characteristics, refer to the official **Freescale datasheet** for the AWT6252.

IMT/WCDMA 3.4V/27.5dBm Linear Power Amplifier Module The part **AWT6252** is a **Power Amplifier Module (PAM)** manufactured by **ANADIGICS**.  

### **Key Specifications:**  
- **Frequency Range:** 824 MHz – 849 MHz  
- **Technology:** GaAs HBT (Heterojunction Bipolar Transistor)  
- **Package:** 16-pin QFN (Quad Flat No-Lead)  
- **Supply Voltage (VCC):** 3.2V – 4.2V  
- **Output Power:** Up to **28 dBm**  
- **Gain:** Typically **28 dB**  
- **Efficiency:** > **40%** at maximum output power  
- **Applications:** CDMA, WCDMA, and other wireless communication systems  

### **Features:**  
- Integrated power control  
- Low current consumption  
- High linearity for improved signal integrity  

This information is based on publicly available specifications from ANADIGICS.