IC Phoenix logo

Home ›  A  › A71 > AS7C4096-15TC

AS7C4096-15TC from ALLIANCE

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

AS7C4096-15TC

Manufacturer: ALLIANCE

5V/3.3V 512K X8 CMOS SRAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
AS7C4096-15TC,AS7C409615TC ALLIANCE 5380 In Stock

Description and Introduction

5V/3.3V 512K X8 CMOS SRAM The part **AS7C4096-15TC** is manufactured by **ALLIANCE**. Here are its specifications:

- **Type**: 4M (512K x 8) Static RAM (SRAM)
- **Speed**: 15 ns access time
- **Voltage**: 5V ±10% operating voltage
- **Organization**: 512K words × 8 bits
- **Package**: 32-pin TSOP (Thin Small Outline Package)
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)
- **Features**: 
  - Low power consumption
  - Fully static operation (no clock or refresh required)
  - TTL-compatible inputs and outputs
  - Tri-state outputs
  - Automatic power-down when deselected

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

Application Scenarios & Design Considerations

5V/3.3V 512K X8 CMOS SRAM # Technical Documentation: AS7C409615TC 4Mbit (512K x 8) 3.3V CMOS Static RAM

 Manufacturer : ALLIANCE MEMORY
 Document Revision : 1.0
 Date : October 26, 2023

---

## 1. Application Scenarios

The AS7C409615TC is a high-performance, low-power 4-megabit (512K x 8) CMOS static random-access memory (SRAM) organized as 524,288 words by 8 bits. It operates from a single 3.3V power supply and is fabricated using Alliance's advanced CMOS technology. Its primary design targets applications requiring fast, non-volatile backup solutions, moderate density, and simple interfacing.

### Typical Use Cases
*    Data Buffering and Cache Memory:  Its fast access times (10ns, 12ns, 15ns variants) make it ideal for buffering high-speed data streams in communication interfaces (e.g., Ethernet controllers, USB bridges) or acting as a secondary cache in embedded microcontrollers where on-chip cache is insufficient.
*    Real-Time System State Storage:  In industrial automation and robotics, the SRAM is used to hold critical state variables, sensor data, or intermediate calculation results that must be retained during brief power interruptions when paired with a battery backup circuit.
*    Non-Volatile Memory Shadowing:  Frequently employed to shadow code or data from slower non-volatile memories (like Flash or EPROM) into SRAM at system boot. The CPU then executes code or accesses data from the fast SRAM, significantly improving system performance.
*    Printing and Imaging Buffers:  Serves as the line buffer or page buffer in laser printers, multifunction printers, and medical imaging equipment, where large raster images are processed and transferred to the print engine or display subsystem.

### Industry Applications
*    Telecommunications & Networking:  Found in routers, switches, optical network terminals (ONTs), and base station controllers for packet buffering, routing table storage, and protocol processing.
*    Industrial Control Systems (ICS):  Used in PLCs (Programmable Logic Controllers), motor drives, and CNC machines for storing temporary parameters, program segments, and real-time operational data.
*    Medical Electronics:  Utilized in patient monitors, diagnostic ultrasound machines, and portable medical devices for temporary image frame storage and system configuration data.
*    Automotive (Non-Safety Critical):  Applied in infotainment systems, telematics control units, and instrument clusters for navigation data, audio buffers, and display information.
*    Test & Measurement Equipment:  Functions as acquisition memory in oscilloscopes and logic analyzers, or as data buffer in spectrum analyzers.

### Practical Advantages and Limitations
 Advantages: 
*    Simple Interface:  Asynchronous, non-multiplexed address/data bus eliminates the need for complex controller logic, simplifying design.
*    Battery Backup Ready:  Low standby current (typical 2µA for the AS7C409615TC-10TIN) enables efficient operation with coin-cell batteries for data retention during main power loss.
*    No Refresh Required:  Unlike DRAM, it requires no refresh cycles, guaranteeing deterministic access times and reducing controller overhead.
*    Full Compatibility:  Pin- and function-compatible with other 512Kx8 3.3V SRAMs (e.g., IS61LV5128), allowing for second-source options and easy upgrades.

 Limitations: 
*    Lower Density vs. DRAM:  Significantly lower memory density compared to DRAM at a similar cost point, making it unsuitable for high-capacity main memory applications.
*    Higher Power/bit in Active Mode:  Consumes more power per bit than DRAM during active read/write operations, which can be a concern in power

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips