IC Phoenix logo

Home ›  A  › A71 > AS7C4096-12TI

AS7C4096-12TI from ALLIANCE

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

AS7C4096-12TI

Manufacturer: ALLIANCE

5V/3.3V 512K X8 CMOS SRAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
AS7C4096-12TI,AS7C409612TI ALLIANCE 6100 In Stock

Description and Introduction

5V/3.3V 512K X8 CMOS SRAM The part **AS7C4096-12TI** is manufactured by **ALLIANCE**. Below are its key specifications:

- **Memory Type**: SRAM (Static Random Access Memory)  
- **Density**: 4 Mbit  
- **Organization**: 512K x 8  
- **Supply Voltage**: 3.3V  
- **Access Time**: 12 ns  
- **Operating Temperature**: Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package**: 32-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Interface**: Parallel  
- **Standby Current**: Low power consumption in standby mode  

This information is sourced from the manufacturer's datasheet.

Application Scenarios & Design Considerations

5V/3.3V 512K X8 CMOS SRAM # Technical Documentation: AS7C409612TI 4Mbit (512K x 8) SRAM

 Manufacturer:  ALLIANCE MEMORY (formerly Alliance Semiconductor)
 Component:  AS7C409612TI
 Description:  High-Speed 4-Megabit (512K x 8) Static Random Access Memory (SRAM)
 Technology:  CMOS
 Package:  44-pin TSOP Type II (Standard Pinout)

---

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The AS7C409612TI is a high-performance, low-power SRAM designed for applications requiring fast, non-volatile data storage and retrieval in systems where data persistence is maintained by a backup power source. Its primary use cases include:

*    Data Buffering and Cache Memory:  Frequently employed as a high-speed buffer or L2/L3 cache in networking equipment (routers, switches), telecommunications infrastructure, and industrial controllers to temporarily hold data being transferred between devices or processes with different speeds or priorities.
*    Real-Time Data Logging:  In industrial automation, test & measurement equipment, and medical devices, this SRAM provides fast storage for transient data before it is processed or written to slower, non-volatile memory (e.g., Flash, SSD).
*    Program/Code Storage in Battery-Backed Systems:  Used in point-of-sale (POS) terminals, embedded computing platforms, and legacy industrial PCs to store critical application code or configuration data. A battery or supercapacitor maintains the memory content when main power is off.
*    Video/Image Frame Buffering:  Suitable for mid-resolution display controllers, digital signage, and imaging systems where a frame of pixel data needs to be stored for processing or to prevent screen tearing during refresh cycles.

### Industry Applications
*    Networking & Telecommunications:  Core and edge routers, switches, base station controllers, and optical network terminals for packet buffering and lookup table storage.
*    Industrial Automation & Control:  Programmable Logic Controllers (PLCs), CNC machines, robotics, and motor drives for storing temporary parameters, recipe data, and real-time sensor readings.
*    Medical Electronics:  Patient monitoring systems, diagnostic imaging consoles (ultrasound, X-ray), and portable medical devices requiring fast access to patient data or system state.
*    Automotive (Non-Safety Critical):  Infotainment systems, navigation units, and telematics control units for map data caching and application state management.
*    Test & Measurement:  Oscilloscopes, spectrum analyzers, and logic analyzers for capturing high-speed waveform data.

### Practical Advantages and Limitations
 Advantages: 
*    High-Speed Access:  With access times as low as 12ns (for the -12 speed grade), it enables zero-wait-state operation with many modern microprocessors and DSPs.
*    Low Power Consumption:  CMOS technology offers low active and standby current, crucial for battery-backed or power-sensitive applications.
*    Simple Interface:  Asynchronous operation with standard control signals (`CE`, `OE`, `WE`) simplifies integration compared to synchronous SRAMs or DRAM.
*    Non-Volatile with Backup:  When paired with a proper battery backup circuit, it provides a simple, fast, and reliable non-volatile memory solution.
*    High Reliability:  No refresh cycles required (unlike DRAM), leading to deterministic performance and higher reliability in harsh environments.

 Limitations: 
*    Density/Cost Ratio:  Lower density and higher cost per bit compared to DRAM or NAND Flash, making it unsuitable for bulk storage.
*    Volatility:  Data is lost without continuous power unless an external battery backup system is meticulously designed and maintained.
*    Package Density:  The TSOP package, while standard, has a larger footprint compared to more modern BGA packages used for higher-density

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips