IC Phoenix logo

Home ›  A  › A71 > AS7C34096A-15JI

AS7C34096A-15JI from ALLIANCE

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

AS7C34096A-15JI

Manufacturer: ALLIANCE

3.3V 512K x 8 CMOS SRAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
AS7C34096A-15JI,AS7C34096A15JI ALLIANCE 6250 In Stock

Description and Introduction

3.3V 512K x 8 CMOS SRAM The part **AS7C34096A-15JI** is manufactured by **ALLIANCE**. Here are its specifications:

- **Type**: 4-Megabit (512K x 8) CMOS Static RAM (SRAM)
- **Speed**: 15 ns access time
- **Voltage Supply**: 5V ±10%
- **Operating Temperature**: Industrial (-40°C to +85°C)
- **Package**: 32-pin PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier)
- **Organization**: 512K words × 8 bits
- **Technology**: CMOS
- **Standby Current**: Low power consumption in standby mode
- **I/O Compatibility**: TTL-compatible inputs and outputs
- **Features**: 
  - Fully static operation (no clock or refresh required)
  - High-speed access time
  - Single 5V power supply
  - Three-state outputs

This information is based on the manufacturer's datasheet.

Application Scenarios & Design Considerations

3.3V 512K x 8 CMOS SRAM # Technical Documentation: AS7C34096A15JI 4-Megabit (512K x 8) 15ns CMOS Static RAM

 Manufacturer : ALLIANCE MEMORY (formerly Alliance Semiconductor)
 Document Revision : 1.0
 Date : October 26, 2023

---

## 1. Application Scenarios

The AS7C34096A15JI is a high-performance, low-power 4-Megabit (512K x 8) CMOS Static Random Access Memory (SRAM) organized as 524,288 words by 8 bits. It is fabricated using Alliance's advanced CMOS technology, offering a fast 15ns access time. Its primary design targets applications requiring high-speed, non-volatile (when paired with a backup power source) or low-power data storage without the latency penalties of dynamic refresh cycles.

### Typical Use Cases
*    Cache Memory in Embedded Systems:  Frequently used as L2 or L3 cache in high-performance embedded processors, network routers, and telecommunications equipment where deterministic, low-latency access to critical data and instructions is paramount.
*    Data Buffering and FIFO:  Ideal for buffering high-speed data streams in communication interfaces (e.g., Gigabit Ethernet, SONET/SDH), digital signal processing (DSP) pipelines, and image/video frame buffers, where its fast cycle time prevents data overrun.
*    Battery-Backed Non-Volatile Storage:  In conjunction with a small battery or supercapacitor, it serves as reliable, fast non-volatile memory for critical configuration data, transaction logs, or real-time clock (RTC) backup in point-of-sale systems, industrial controllers, and medical devices.
*    Working Memory for Microcontrollers:  Used as external program or data memory for microcontrollers (MCUs) and microprocessors (MPUs) when internal SRAM is insufficient, particularly in designs requiring fast execution from RAM.

### Industry Applications
*    Networking & Telecommunications:  Core routers, switches, base stations, and optical transport equipment for routing table storage, packet buffering, and protocol processing.
*    Industrial Automation & Control:  Programmable Logic Controllers (PLCs), motor drives, and robotics for real-time data processing and temporary program storage.
*    Medical Electronics:  Patient monitoring systems, diagnostic imaging equipment, and portable medical devices where reliable, fast data access is critical.
*    Test & Measurement:  High-speed oscilloscopes, spectrum analyzers, and automated test equipment (ATE) for capturing and processing waveform data.
*    Aerospace & Defense:  Avionics, radar systems, and secure communications gear, often in extended temperature grade versions.

### Practical Advantages and Limitations
 Advantages: 
*    High Speed:  15ns access time enables operation with high-frequency processors without wait states.
*    Simplicity:  No need for complex refresh controllers or timing circuits (unlike DRAM), simplifying system design.
*    Low Standby Power:  The JI (Industrial Temperature) version features low typical standby current, crucial for battery-operated applications.
*    Noise Immunity:  CMOS technology offers good noise margin, enhancing reliability in electrically noisy environments.
*    Full Compatibility:  Pin- and function-compatible with other 512K x 8 SRAMs (e.g., IS61C5128), allowing for second-source options.

 Limitations: 
*    Lower Density/Cost Ratio:  Compared to DRAM, SRAM offers significantly lower bit density per unit area and higher cost per megabit, making it unsuitable for bulk storage.
*    Higher Static Power:  While active power can be managed, the core cell structure inherently draws more standby leakage current than non-volatile memories like Flash.
*    Volatility:  Data is lost upon power removal unless a backup power system is implemented, adding design complexity and cost

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips