IC Phoenix logo

Home ›  A  › A70 > AS7C256L-15JC

AS7C256L-15JC from ALLIANCE

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

AS7C256L-15JC

Manufacturer: ALLIANCE

High Performance 32Kx8 CMOS SRAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
AS7C256L-15JC,AS7C256L15JC ALLIANCE 1980 In Stock

Description and Introduction

High Performance 32Kx8 CMOS SRAM The AS7C256L-15JC is a 256K (32K x 8) low-power CMOS static RAM (SRAM) manufactured by Alliance Memory. Here are its key specifications:  

- **Organization**: 32K x 8  
- **Voltage Supply**: 3.3V (±10%)  
- **Access Time**: 15 ns  
- **Operating Current**: 30 mA (typical)  
- **Standby Current**: 10 µA (typical)  
- **Package**: 32-pin PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier)  
- **Operating Temperature Range**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Technology**: CMOS  
- **Data Retention**: 2V (min) with very low standby current  
- **Pinout**: Compatible with industry-standard 32K x 8 SRAMs  

This SRAM is designed for low-power applications requiring fast access times.

Application Scenarios & Design Considerations

High Performance 32Kx8 CMOS SRAM # Technical Documentation: AS7C256L15JC 256K (32K x 8) Low-Power CMOS Static RAM

 Manufacturer : ALLIANCE Semiconductor (Now part of Cypress Semiconductor/Infineon Technologies)
 Component : AS7C256L15JC
 Description : 256K-bit (32,768 words x 8 bits) High-Speed CMOS Static RAM
 Package : 28-pin Plastic Leaded Chip Carrier (PLCC)
 Key Feature : Low Power Consumption, 15ns Access Time

---

## 1. Application Scenarios (Approx. 45% of Content)

### Typical Use Cases
The AS7C256L15JC is a high-performance, low-power static RAM (SRAM) designed for applications requiring fast, non-volatile data storage or high-speed cache memory. Its primary use cases include:

*    Microprocessor/Microcontroller Memory Expansion:  Frequently employed as external RAM for 8-bit and 16-bit microcontrollers (e.g., legacy Intel 8051, Microchip PIC, Motorola 68HC11 families) that lack sufficient on-chip RAM for data buffers, lookup tables, or real-time operating system (RTOS) tasks.
*    Cache Memory for Embedded Systems:  Serves as a Level 2 (L2) cache or a dedicated scratchpad memory in embedded processors, DSPs, or FPGA-based systems to reduce access latency to slower main memory (e.g., DRAM or Flash).
*    Data Logging and Buffering:  Ideal for temporary storage in data acquisition systems, communication equipment (router buffers), industrial controllers, and medical devices, where high-speed write/read cycles are critical for capturing transient data.
*    Battery-Backed or Shadow RAM:  Used in systems requiring memory persistence during short power interruptions. When paired with a small battery or supercapacitor, it can maintain critical configuration data, calibration constants, or transaction logs.

### Industry Applications
*    Telecommunications:  Network interface cards, routers, and switches for packet buffering and routing table storage.
*    Industrial Automation:  Programmable Logic Controller (PLC) memory, motor drive controllers, and test/measurement equipment for real-time data processing.
*    Consumer Electronics:  Advanced set-top boxes, gaming consoles (legacy), and printers for firmware execution and graphic data buffering.
*    Automotive:  Engine control units (ECUs) and infotainment systems (in designs from the late 1990s/early 2000s), though modern designs favor more integrated solutions.
*    Legacy System Maintenance & Repair:  Critical for servicing and upgrading industrial machinery, military hardware, and aerospace systems with long lifecycles that originally specified this SRAM.

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*    High Speed:  15ns maximum access time enables zero-wait-state operation with many mid-range microprocessors clocked up to ~66 MHz.
*    Low Power Consumption:  CMOS technology offers low active current (70mA typical @ 15ns) and very low standby current (100µA typical for CMOS input levels), making it suitable for power-sensitive designs.
*    Simple Interface:  Asynchronous operation with standard SRAM control signals (`CE`, `OE`, `WE`) simplifies design integration compared to synchronous memories (e.g., SSRAM, SDRAM).
*    Data Retention:  Features a low-power data retention mode (supply voltage can drop to 2.0V) with minimal current draw, ideal for battery-backed applications.
*    No Refresh Required:  Unlike DRAM, it does not require periodic refresh cycles, simplifying controller logic and guaranteeing deterministic access times.

 Limitations: 
*    Density/Cost Per Bit:  Lower density and higher cost per bit compared to Dynamic RAM (DRAM), making it unsuitable for high-capacity main

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips