IC Phoenix logo

Home ›  A  › A70 > AS7C1026-12TC

AS7C1026-12TC from ALLIANCE

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

AS7C1026-12TC

Manufacturer: ALLIANCE

5V / 3.3V 64KX16 CMOS SRAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
AS7C1026-12TC,AS7C102612TC ALLIANCE 118 In Stock

Description and Introduction

5V / 3.3V 64KX16 CMOS SRAM The part **AS7C1026-12TC** is manufactured by **ALLIANCE**. Here are its specifications:

- **Type**: 1M (128K x 8) Static RAM (SRAM)
- **Speed**: 12 ns (access time)
- **Voltage**: 5V operation
- **Organization**: 131,072 words × 8 bits
- **Package**: 32-pin TSOP (Thin Small Outline Package)
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)
- **Features**: 
  - Low power consumption
  - Fully static operation (no clock or refresh required)
  - TTL-compatible inputs and outputs
  - Tri-state outputs
  - High reliability CMOS technology

This information is based on the manufacturer's datasheet.

Application Scenarios & Design Considerations

5V / 3.3V 64KX16 CMOS SRAM # Technical Documentation: AS7C102612TC 1Mbit (128K x 8) 3.3V CMOS Static RAM

 Manufacturer:  ALLIANCE MEMORY (formerly Alliance Semiconductor)
 Component:  AS7C102612TC
 Type:  3.3V, 128K x 8-bit, Low-Power CMOS Static RAM (SRAM)
 Package:  32-pin TSOP Type I (8mm x 20mm)

---

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The AS7C102612TC is a 1-megabit (1Mbit), 3.3-volt static random-access memory (SRAM) organized as 131,072 words by 8 bits. Its primary function is to serve as a fast, volatile data buffer or working memory in systems where data persistence is not required after power loss. Key use cases include:

*    Data Buffering and Caching:  Frequently employed as a high-speed buffer between a microprocessor and slower peripheral devices (like Flash memory or hard drives) or between processors of differing speeds in multi-core systems. Its fast access times (10ns, 12ns, 15ns variants) minimize wait states.
*    Real-Time Data Processing:  Ideal for applications requiring rapid storage and retrieval of intermediate calculation results, sensor data, or communication packets. Examples include digital signal processing (DSP) co-processors, image processing pipelines, and network switch/routing tables.
*    Battery-Backed or Non-Volatile Memory Shadowing:  In systems with battery backup circuits, it can maintain critical configuration data or real-time clock information. It is also used to shadow boot code from non-volatile ROM into faster SRAM during system initialization.

### Industry Applications
This SRAM finds utility across several embedded and computing industries due to its standard pinout, low power consumption, and 3.3V logic compatibility.

*    Industrial Automation & Control:  Programmable Logic Controllers (PLCs), motor drives, and robotics control systems use it for temporary storage of ladder logic states, motion profiles, and I/O mapping tables.
*    Telecommunications:  Found in routers, switches, modems, and base station equipment for packet buffering, header processing, and queue management.
*    Medical Electronics:  Used in portable diagnostic equipment (e.g., ultrasound, patient monitors) for temporary image frame storage and data processing before display or transmission.
*    Consumer Electronics:  Integrated into set-top boxes, printers, and advanced gaming peripherals for firmware execution and data buffering.
*    Automotive (Non-Safety Critical):  Employed in infotainment systems, navigation units, and dashboard displays for map data caching and UI element storage.

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*    Simple Interface:  No refresh cycles or complex controllers are required, unlike DRAM. It connects directly to a microprocessor's address and data bus.
*    High Speed:  Access times as low as 10ns enable zero-wait-state operation with many modern microcontrollers and processors.
*    Low Standby Power:  The device features a CMOS standby mode (`CE1` high and `CE2` low), drawing minimal current (typical 2µA), which is crucial for battery-powered applications.
*    3.3V Operation:  Compatible with modern low-voltage logic families, reducing overall system power consumption.
*    Full Static Operation:  Requires no clock or refresh, simplifying timing design.

 Limitations: 
*    Volatility:  All data is lost when power is removed, necessitating a backup power source or external non-volatile memory if data retention is required.
*    Lower Density/Cost per Bit:  Compared to Dynamic RAM (DRAM), SRAM has a lower bit density and higher cost per megabyte, making it unsuitable for bulk

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips