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APT35GP120BG from MICROSEMI

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APT35GP120BG

Manufacturer: MICROSEMI

POWER MOS 7? IGBT

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
APT35GP120BG MICROSEMI 1000 In Stock

Description and Introduction

POWER MOS 7? IGBT The APT35GP120BG is a power module manufactured by Microsemi (now part of Microchip Technology). Below are its key specifications:

- **Voltage Rating**: 1200V  
- **Current Rating**: 35A  
- **Module Type**: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Configuration**: Dual (contains two IGBTs with anti-parallel diodes)  
- **Package**: High-power module, typically with screw terminals  
- **Switching Frequency**: Suitable for medium to high-frequency applications  
- **Isolation Voltage**: Typically rated for high-voltage isolation (exact value depends on standards)  
- **Applications**: Industrial motor drives, power supplies, renewable energy systems  

For exact datasheet details, refer to Microchip's official documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

POWER MOS 7? IGBT # Technical Documentation: APT35GP120BG IGBT Module

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The APT35GP120BG is a 1200V/35A IGBT co-packaged with an anti-parallel diode, designed for medium-power switching applications. Its primary use cases include:

 Motor Drive Systems 
- AC motor drives for industrial machinery (5-15 kW range)
- Servo drives and spindle drives in CNC equipment
- Variable frequency drives (VFDs) for pumps and fans
- Elevator and escalator motor control systems

 Power Conversion 
- Uninterruptible power supplies (UPS) in the 10-30 kVA range
- Solar inverter systems for residential and commercial installations
- Welding power supplies requiring robust switching elements
- Switch-mode power supplies (SMPS) for industrial equipment

 Industrial Automation 
- Robotic arm power modules
- Conveyor system motor controllers
- Packaging machinery drives
- Material handling equipment

### 1.2 Industry Applications

 Renewable Energy Sector 
- Grid-tied solar inverters (3-phase systems)
- Wind turbine auxiliary power systems
- Energy storage system (ESS) power conversion
- *Advantage*: Low VCE(sat) reduces conduction losses in continuous operation
- *Limitation*: Switching frequency limited to ~20 kHz, not optimal for high-frequency designs

 Industrial Manufacturing 
- Motor drives for extrusion machines and injection molding
- Compressor drives in HVAC systems
- Machine tool spindle drives
- *Advantage*: Robust short-circuit withstand capability (10 μs typical)
- *Limitation*: Requires careful thermal management at full load

 Transportation 
- Auxiliary power units in electric vehicles
- Railway traction auxiliary systems
- Electric forklift motor controllers
- *Advantage*: Co-packaged diode simplifies circuit design
- *Limitation*: Not automotive-grade qualified (requires additional screening)

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Low Conduction Losses : VCE(sat) of 2.1V typical at 25°C reduces power dissipation
-  Fast Switching : Turn-off time of 320 ns typical enables efficient operation
-  Temperature Stability : Positive temperature coefficient prevents thermal runaway
-  Built-in Protection : Co-packaged diode provides inherent freewheeling capability
-  Rugged Design : High short-circuit withstand time enhances system reliability

 Limitations: 
-  Frequency Constraint : Maximum practical switching frequency ~20 kHz
-  Thermal Considerations : Requires heatsinking for continuous operation above 15A
-  Gate Drive Requirements : -10V to +20V gate voltage range needs proper driver design
-  Aging Effects : Bond wire fatigue under thermal cycling requires derating in extreme applications

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Inadequate Gate Driving 
- *Problem*: Slow gate drive increases switching losses and device stress
- *Solution*: Use dedicated IGBT drivers (e.g., IXDN609SI) with 2-4A peak current capability
- *Implementation*: Keep gate drive loop inductance <20 nH with proper layout

 Pitfall 2: Thermal Management Issues 
- *Problem*: Junction temperature exceeding 150°C reduces reliability
- *Solution*: Calculate thermal impedance: RθJC = 0.45°C/W, RθCS = 0.10°C/W (with thermal grease)
- *Implementation*: Use heatsink with RθSA < 1.0°C/W for continuous 35A operation

 Pitfall 3: Voltage Spikes During Turn-off 
- *Problem*: Ldi/dt spikes exceeding

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