IC Phoenix logo

Home ›  A  › A68 > APT1201R2BLL

APT1201R2BLL from APT

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

APT1201R2BLL

Manufacturer: APT

Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
APT1201R2BLL APT 112 In Stock

Description and Introduction

Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. The APT1201R2BLL is a power MOSFET manufactured by Advanced Power Technology (APT). Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Voltage Rating (VDS)**: 1200V
- **Current Rating (ID)**: 2.2A (at 25°C)
- **Power Dissipation (PD)**: 20W (at 25°C)
- **On-Resistance (RDS(on))**: 3.5Ω (typical)
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V
- **Package**: TO-220 (isolated)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Applications**: High-voltage switching, power supplies, and motor control.

For precise details, refer to the official datasheet from APT.

Application Scenarios & Design Considerations

Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. # Technical Documentation: APT1201R2BLL Power MOSFET

 Manufacturer : Advanced Power Technology (APT)
 Component Type : N-Channel Power MOSFET
 Document Version : 1.0

---

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The APT1201R2BLL is a high-performance N-Channel MOSFET designed for demanding power switching applications. Its primary use cases include:

 Switching Power Supplies 
-  DC-DC Converters : Particularly effective in buck, boost, and buck-boost topologies operating at frequencies from 50kHz to 500kHz
-  SMPS Primary Switching : Suitable for offline flyback and forward converters up to 600W
-  Synchronous Rectification : Low RDS(on) makes it ideal for secondary-side synchronous rectification in high-efficiency designs

 Motor Control Systems 
-  Brushless DC (BLDC) Motor Drives : Used in H-bridge configurations for industrial motors (1-5HP range)
-  Stepper Motor Drivers : Provides precise current control in microstepping applications
-  Servo Amplifiers : Enables high-frequency PWM control in robotic and automation systems

 Power Management 
-  Load Switching : Hot-swap controllers, power distribution switches
-  Battery Protection : Discharge control in lithium-ion battery packs
-  Inverter Circuits : Solar microinverters, UPS systems up to 1kVA

### 1.2 Industry Applications

 Industrial Automation 
- Programmable Logic Controller (PLC) I/O modules
- Industrial motor drives for conveyor systems
- Welding equipment power stages
- *Advantage*: Robust TO-247 package withstands industrial temperature ranges (-55°C to +175°C)
- *Limitation*: Requires careful thermal management in continuous high-current applications

 Renewable Energy Systems 
- Solar charge controllers (MPPT implementations)
- Wind turbine pitch control systems
- Grid-tie inverter output stages
- *Advantage*: Low gate charge enables efficient high-frequency switching
- *Limitation*: Avalanche energy rating requires consideration in inductive load applications

 Automotive Electronics 
- Electric vehicle traction inverters (auxiliary systems)
- DC-DC converters in 48V mild hybrid systems
- Battery management system (BMS) balancing circuits
- *Advantage*: AEC-Q101 qualified variants available for automotive applications
- *Limitation*: Requires additional protection for load-dump scenarios

 Consumer Electronics 
- High-end audio amplifiers (class D)
- High-current LED drivers
- Server power supplies
- *Advantage*: Excellent FOM (Figure of Merit) for high-efficiency designs
- *Limitation*: Package size may be excessive for space-constrained applications

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Low RDS(on) : Typically 12mΩ at VGS=10V, reducing conduction losses
-  Fast Switching : Typical tr/tf of 25ns/15ns enables high-frequency operation
-  Avalanche Rated : Robustness against inductive switching transients
-  Low Gate Charge : Qg of 120nC typical reduces drive requirements
-  Wide SOA : Safe Operating Area supports various load conditions

 Limitations: 
-  Miller Plateau : Pronounced Miller effect requires careful gate drive design
-  Package Parasitics : TO-247 package inductance affects high-di/dt applications
-  Thermal Resistance : Junction-to-case RθJC of 0.5°C/W requires adequate heatsinking
-  Cost : Premium performance comes at higher cost compared to standard MOSFETs

---

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

 Gate Drive Issues 
-  Pitfall : Inadequate

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips