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APD260VDTR-E1 from BCD

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APD260VDTR-E1

Manufacturer: BCD

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
APD260VDTR-E1,APD260VDTRE1 BCD 12480 In Stock

Description and Introduction

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS The APD260VDTR-E1 is a power module manufactured by BCD Semiconductor. Here are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Manufacturer**: BCD Semiconductor  
- **Type**: Power Module  
- **Output Voltage**: 2.6V  
- **Package**: TO-252-3 (DPAK)  
- **Regulator Type**: Low Dropout (LDO)  
- **Maximum Output Current**: 1.5A  
- **Input Voltage Range**: 4.5V to 18V  
- **Dropout Voltage**: 0.45V (typical at 1A load)  
- **Line Regulation**: 0.05% (typical)  
- **Load Regulation**: 0.1% (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -40°C to +125°C  
- **Protection Features**: Overcurrent, Overtemperature, Reverse Polarity  

This information is based solely on the available data for the APD260VDTR-E1 from BCD Semiconductor.

Application Scenarios & Design Considerations

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS # Technical Documentation: APD260VDTRE1

 Manufacturer : BCD Semiconductor  
 Component Type : High-Voltage Power MOSFET  
 Document Version : 1.0  
 Last Updated : October 2023  

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## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The APD260VDTRE1 is a high-voltage N-channel enhancement-mode power MOSFET designed for switching applications requiring robust voltage handling and efficient power management. Its primary use cases include:

-  Switching Power Supplies (SMPS) : Used in flyback, forward, and half-bridge converters for AC/DC and DC/DC conversion in industrial and consumer power adapters.
-  Motor Control Circuits : Employed in inverter stages for brushless DC (BLDC) and stepper motor drives, particularly in appliances, HVAC systems, and automotive auxiliary systems.
-  Lighting Systems : Integral to LED driver circuits, ballast controls, and electronic transformers for high-efficiency lighting solutions.
-  Power Factor Correction (PFC) : Suitable for boost PFC stages in power supplies above 200W, aiding compliance with energy efficiency standards like 80 PLUS.
-  Solid-State Relays (SSRs) : Provides high-voltage switching in isolation and control circuits for industrial automation.

### 1.2 Industry Applications
-  Consumer Electronics : Power adapters, gaming consoles, and TV power boards.
-  Industrial Automation : PLCs, motor drives, and uninterruptible power supplies (UPS).
-  Renewable Energy : Inverters for solar micro-inverters and wind turbine controls.
-  Automotive : On-board chargers (OBCs), DC-DC converters, and auxiliary power modules (non-safety-critical).
-  Telecommunications : Base station power systems and network switching equipment.

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

#### Advantages:
-  High Voltage Rating : 260V drain-source voltage (VDS) allows use in off-line applications (85–265V AC).
-  Low On-Resistance : RDS(on) as low as 0.19Ω minimizes conduction losses, improving thermal performance.
-  Fast Switching : Typical rise/fall times < 20 ns reduce switching losses in high-frequency designs (up to 200 kHz).
-  Robust Packaging : TO-252 (DPAK) package offers good thermal dissipation and mechanical stability.
-  Avalanche Energy Rated : Withstands inductive load switching surges, enhancing reliability in motor and transformer applications.

#### Limitations:
-  Gate Charge Sensitivity : Moderate total gate charge (Qg) requires careful gate driver design to avoid switching slowdown.
-  Voltage Derating Needed : For long-term reliability in high-temperature environments, derate VDS by 15–20% above 100°C.
-  Parasitic Capacitance : Output capacitance (Coss) can cause ringing in high-di/dt circuits, necessitating snubber networks.
-  Package Constraints : DPAK footprint may limit power dissipation above 50W without heatsinking or forced airflow.

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## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions
| Pitfall | Cause | Solution |
|---------|-------|----------|
|  Gate Oscillation  | High gate loop inductance and improper driver impedance. | Use low-inductance gate drive paths, series gate resistors (2–10Ω), and place driver IC close to MOSFET. |
|  Overvoltage Spikes  | Parasitic inductance in drain circuit during turn-off. | Implement RC snubber across drain-source, use low-ESR bypass capacitors, and optimize PCB layout to minimize loop area. |
|  Thermal Runaway  | Inadequate heatsinking or poor PCB copper

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