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AOWF412 from AOS

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AOWF412

Manufacturer: AOS

100V N-Channel MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
AOWF412 AOS 50 In Stock

Description and Introduction

100V N-Channel MOSFET Part AOWF412 is manufactured by **Alpha and Omega Semiconductor (AOS)**.  

### **Key Specifications of AOWF412 (if available in Ic-phoenix technical data files):**  
- **Manufacturer:** Alpha and Omega Semiconductor (AOS)  
- **Type:** Likely a power MOSFET or semiconductor device (exact type depends on datasheet).  
- **Voltage Rating:** (Check datasheet for VDS, VGS, etc.)  
- **Current Rating:** (Check datasheet for ID, IDM, etc.)  
- **Package:** (e.g., TO-252, DFN, etc.)  
- **Application:** Power management, switching circuits, etc.  

For precise specifications, always refer to the official **AOS datasheet** or product page.  

*(Note: If no specific details are available in Ic-phoenix technical data files, this is a general template based on AOS power devices.)*

Application Scenarios & Design Considerations

100V N-Channel MOSFET # Technical Documentation: AOWF412 Power MOSFET

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The AOWF412 is a high-performance N-channel power MOSFET designed for switching applications requiring low on-state resistance and fast switching characteristics. Typical use cases include:

 DC-DC Converters : The device's low RDS(on) (typically 4.2 mΩ at VGS = 10V) makes it ideal for synchronous buck converters, boost converters, and voltage regulator modules (VRMs) where conduction losses must be minimized.

 Motor Drive Circuits : Suitable for H-bridge configurations in brushed DC motor control, providing efficient switching for PWM speed control in robotics, automotive window/lift systems, and industrial actuators.

 Load Switching Applications : Used as a high-side or low-side switch in power distribution systems, battery management systems (BMS), and hot-swap controllers where minimal voltage drop is critical.

 Solar Power Systems : Employed in maximum power point tracking (MPPT) charge controllers and DC-AC inverters where high efficiency switching is required.

### 1.2 Industry Applications

 Automotive Electronics : 
- Electric power steering (EPS) systems
- LED lighting drivers
- 12V/48V DC-DC converters
- Battery disconnect switches in electric vehicles

 Consumer Electronics :
- Laptop power adapters
- Gaming console power supplies
- High-efficiency TV power boards
- Fast-charging USB-PD circuits

 Industrial Systems :
- Programmable logic controller (PLC) I/O modules
- Industrial motor drives
- Uninterruptible power supplies (UPS)
- Welding equipment power stages

 Telecommunications :
- Base station power amplifiers
- Network switch power supplies
- PoE (Power over Ethernet) injectors/splitters

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages :
-  Low Conduction Losses : RDS(on) of 4.2 mΩ minimizes I²R losses in high-current applications
-  Fast Switching : Typical rise time of 15 ns and fall time of 10 ns reduces switching losses
-  High Current Capability : Continuous drain current rating of 120A supports demanding applications
-  Robust Thermal Performance : Low thermal resistance (RθJC = 0.5°C/W) enables efficient heat dissipation
-  Avalanche Energy Rated : Withstands unclamped inductive switching (UIS) events, enhancing reliability in inductive load applications

 Limitations :
-  Gate Charge Sensitivity : Total gate charge of 130 nC requires careful gate driver design to achieve optimal switching performance
-  Voltage Derating : Maximum VDS rating of 40V limits use in higher voltage applications (>48V systems)
-  Parasitic Capacitance : CISS of 4500 pF can cause Miller effect issues if not properly managed
-  SO-8 Package Constraints : Limited thermal dissipation capability compared to larger packages; may require thermal vias or heatsinks in high-power applications

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Inadequate Gate Driving 
*Problem*: Using underpowered gate drivers leads to slow switching transitions, increasing switching losses and potentially causing thermal runaway.
*Solution*: Implement a dedicated gate driver IC capable of delivering at least 2A peak current. Ensure the driver's output stage can source/sink sufficient current to charge/discharge the MOSFET's gate capacitance quickly.

 Pitfall 2: Poor Thermal Management 
*Problem*: Underestimating power dissipation leads to junction temperatures exceeding maximum ratings, reducing reliability and potentially causing device failure

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