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AOWF11S60 from AOS

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AOWF11S60

Manufacturer: AOS

600V 11A a MOS TM Power Transistor

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
AOWF11S60 AOS 50 In Stock

Description and Introduction

600V 11A a MOS TM Power Transistor The AOWF11S60 is a power MOSFET manufactured by Alpha and Omega Semiconductor (AOS). Below are its key specifications:

- **Manufacturer**: Alpha and Omega Semiconductor (AOS)  
- **Part Number**: AOWF11S60  
- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Technology**: Super Junction (SJ)  
- **Voltage Rating (VDS)**: 600V  
- **Current Rating (ID)**: 11A (at 25°C)  
- **RDS(ON)**: 0.45Ω (max) at VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±30V  
- **Power Dissipation (PD)**: 125W  
- **Package**: TO-247  
- **Applications**: High-efficiency power conversion, power supplies, motor drives  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official AOS documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

600V 11A a MOS TM Power Transistor # Technical Documentation: AOWF11S60 AlphaIGBT™

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The AOWF11S60 is a 600V, 11A AlphaIGBT™ (Insulated Gate Bipolar Transistor) co-packaged with a freewheeling diode, designed for high-efficiency switching applications. Its primary use cases include:

-  Motor Drive Circuits : Particularly in variable frequency drives (VFDs) for AC induction motors up to 3-5 HP, where it serves as the main switching element in inverter bridges.
-  Switching Power Supplies : In hard-switched and soft-switched topologies like active clamp forward converters and phase-shifted full-bridge converters operating at switching frequencies up to 50 kHz.
-  Uninterruptible Power Supplies (UPS) : For both online and line-interactive UPS systems in the 1-3 kVA range, providing efficient conversion between DC bus and AC output.
-  Solar Inverters : In string and micro-inverters for photovoltaic systems, converting DC from solar panels to grid-compatible AC.
-  Welding Equipment : As the primary switch in inverter-based welding power sources, enabling precise current control and improved power factor.

### 1.2 Industry Applications
-  Industrial Automation : Motor controllers for conveyor systems, pumps, fans, and CNC machinery.
-  Consumer Appliances : High-end air conditioners, washing machines, and refrigerators with variable-speed compressors.
-  Renewable Energy : Grid-tied and off-grid solar inverters, small wind turbine converters.
-  Telecommunications : High-efficiency rectifiers and DC-DC converters in telecom power systems.
-  Electric Vehicle Charging : Level 2 AC charging stations and onboard chargers (OBCs).

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Low Conduction Losses : The AlphaIGBT technology provides lower VCE(sat) (typically 1.65V at 11A) compared to conventional planar IGBTs, reducing conduction losses by approximately 15-20%.
-  Fast Switching : Turn-off time (toff) of 110ns typical enables operation at higher frequencies than standard IGBTs, allowing magnetic component size reduction.
-  Integrated Diode : Co-packaged ultra-fast soft recovery diode (trr = 75ns typical) simplifies design and improves reliability by ensuring matched thermal characteristics.
-  Wide SOA : Robust short-circuit withstand capability (5μs typical) provides design margin in fault conditions.
-  Temperature Stability : Positive temperature coefficient of VCE(sat) promotes current sharing in parallel configurations.

 Limitations: 
-  Frequency Ceiling : While improved over conventional IGBTs, switching losses limit optimal operation to ≤50 kHz. For higher frequencies, MOSFETs or SiC devices may be more suitable.
-  Tail Current : Inherent IGBT turn-off tail current persists, though reduced in AlphaIGBT technology, contributing to switching losses at high frequencies.
-  Gate Drive Complexity : Requires careful gate drive design with negative turn-off bias (-5V to -15V recommended) for optimal performance, adding complexity compared to MOSFETs.
-  Voltage Derating : For reliable operation in industrial environments, recommended DC bus voltage should not exceed 80% of rated voltage (480V DC maximum for 600V device).

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Inadequate Gate Drive 
-  Problem : Under-driven gates cause excessive switching losses and potential thermal runaway. Over-driven gates increase EMI and stress the gate oxide.
-  Solution : Implement a dedicated gate driver IC (e.g., IR2110, FAN7392) with 15V turn-on and -5V to -10V

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
AOWF11S60 ALPHA 53 In Stock

Description and Introduction

600V 11A a MOS TM Power Transistor The **AOWF11S60** is a high-performance electronic component designed for power management applications, offering efficiency and reliability in demanding environments. This device is part of a series of advanced power modules that integrate key functionalities to streamline circuit design while optimizing performance.  

Engineered for industrial and automotive applications, the **AOWF11S60** features robust thermal management, low power dissipation, and high switching speeds, making it suitable for inverters, motor drives, and power supplies. Its compact form factor and high power density allow for space-efficient designs without compromising performance.  

Key specifications include a high voltage rating, low conduction losses, and enhanced thermal stability, ensuring long-term durability under varying load conditions. The component’s design adheres to industry standards, providing engineers with a dependable solution for high-power switching applications.  

With its combination of efficiency, ruggedness, and precision, the **AOWF11S60** is a versatile choice for modern power electronics, catering to the increasing demand for energy-efficient and high-reliability systems. Whether used in renewable energy systems, industrial automation, or electric vehicles, this component delivers consistent performance in critical applications.

Application Scenarios & Design Considerations

600V 11A a MOS TM Power Transistor # Technical Documentation: AOWF11S60 Power Module

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The AOWF11S60 is a high-efficiency power module designed for demanding industrial and automotive applications. Its primary use cases include:

-  Motor Drive Systems : Particularly suitable for brushless DC (BLDC) and permanent magnet synchronous motor (PMSM) drives in the 5-10 kW power range
-  Uninterruptible Power Supplies (UPS) : Provides reliable power conversion in backup power systems
-  Solar Inverters : Enables efficient DC-AC conversion in photovoltaic systems
-  Industrial Automation : Powers robotic systems, conveyor controls, and CNC machinery
-  Electric Vehicle Charging : Supports both onboard and offboard charging infrastructure

### 1.2 Industry Applications

#### Automotive Sector
-  Electric Vehicle Powertrains : Integrates into traction inverters for passenger and commercial EVs
-  Auxiliary Power Modules : Powers HVAC systems, power steering, and other vehicle subsystems
-  48V Mild Hybrid Systems : Supports belt-starter generators and regenerative braking systems

#### Industrial Sector
-  Factory Automation : Drives servo motors and actuators in manufacturing environments
-  Renewable Energy : Grid-tied inverters for solar and wind power systems
-  Telecommunications : Base station power supplies and backup systems

#### Consumer/Commercial Sector
-  High-Power Appliances : Air conditioners, refrigeration compressors, and industrial pumps
-  Medical Equipment : Imaging systems and surgical power tools

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

#### Advantages:
-  High Power Density : Compact footprint (62mm × 47mm × 12mm) with 11kW continuous power capability
-  Efficiency : Peak efficiency of 97.5% at 50% load, reducing thermal management requirements
-  Integrated Protection : Built-in overcurrent, overtemperature, and undervoltage lockout
-  Thermal Performance : Low thermal resistance (0.45°C/W junction-to-case) enables passive cooling in many applications
-  EMI Compliance : Meets CISPR 11 Class B emissions standards with minimal external filtering

#### Limitations:
-  Voltage Constraints : Maximum 600V DC bus limits high-voltage applications
-  Switching Frequency : Fixed 16kHz switching may not suit ultra-high frequency designs
-  Cost Premium : Approximately 15-20% higher than discrete solutions at similar power levels
-  Repair Complexity : Module-level replacement required for internal failures

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

#### Pitfall 1: Inadequate Thermal Management
 Problem : Designers often underestimate thermal requirements, leading to premature thermal shutdown.
 Solution : 
- Calculate worst-case power dissipation using: P_diss = P_out × (1 - η)/η
- Maintain case temperature below 110°C with proper heatsinking
- Use thermal interface materials with conductivity >3 W/m·K

#### Pitfall 2: DC Bus Capacitor Sizing
 Problem : Insufficient bus capacitance causes voltage ripple exceeding 5% of nominal.
 Solution :
- Minimum capacitance: C_min = (I_peak × t_sw)/(2 × ΔV_ripple)
- Use low-ESR film capacitors (e.g., polypropylene) in parallel with electrolytics
- Place capacitors within 30mm of module terminals

#### Pitfall 3: Gate Drive Circuit Issues
 Problem : Improper gate drive timing causes shoot-through currents.
 Solution :
- Implement dead time of 500ns minimum between complementary switches
- Use isolated gate drivers with 2.5A peak current capability
- Maintain gate drive voltage between 15V ±10%

### 2.2 Compatibility Issues with Other Components

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