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AOU3N60 from AOS

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AOU3N60

Manufacturer: AOS

600V,2.5A N-Channel MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
AOU3N60 AOS 3000 In Stock

Description and Introduction

600V,2.5A N-Channel MOSFET The AOU3N60 is a N-channel MOSFET manufactured by Alpha & Omega Semiconductor (AOS). Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (VDSS)**: 600V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: 3A  
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 12A  
- **Power Dissipation (PD)**: 38W  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 2.5Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th))**: 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss)**: 150pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss)**: 25pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 5pF (typ)  
- **Package**: TO-251 (IPAK)  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications.  

(Source: AOS official datasheet for AOU3N60.)

Application Scenarios & Design Considerations

600V,2.5A N-Channel MOSFET # Technical Documentation: AOU3N60 N-Channel MOSFET

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The AOU3N60 is a 600V, 3A N-channel MOSFET designed for high-voltage switching applications. Its primary use cases include:

 Power Switching Circuits 
- Switching mode power supplies (SMPS) in flyback, forward, and half-bridge topologies
- DC-DC converters requiring high-voltage blocking capability
- Power factor correction (PFC) circuits in AC-DC converters

 Load Control Applications 
- Solid-state relay replacements for AC/DC load switching
- Motor drive circuits for small to medium power motors
- Inverter circuits for uninterruptible power supplies (UPS)

 Lighting Systems 
- Electronic ballasts for fluorescent lighting
- LED driver circuits requiring high-efficiency switching
- Dimmable lighting control systems

### 1.2 Industry Applications

 Consumer Electronics 
- Power adapters for laptops, monitors, and televisions
- Battery charging circuits
- Low-power appliance controls

 Industrial Automation 
- PLC output modules
- Industrial power supplies
- Control circuits for sensors and actuators

 Renewable Energy Systems 
- Solar micro-inverters
- Charge controllers for solar panels
- Small wind turbine converters

 Automotive Electronics 
- Auxiliary power systems (non-critical applications)
- Lighting control modules
- Low-power DC-DC converters

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High Voltage Rating : 600V drain-source voltage (VDSS) suitable for offline applications
-  Low Gate Charge : Typically 12nC (typ) enabling fast switching and reduced driver requirements
-  Low RDS(on) : 2.5Ω maximum at 10V VGS provides good conduction efficiency
-  Avalanche Energy Rated : Robustness against inductive switching transients
-  Cost-Effective : Competitive pricing for medium-power applications

 Limitations: 
-  Current Handling : 3A continuous current limits high-power applications
-  Thermal Performance : TO-220 package requires adequate heatsinking above 1-1.5A continuous
-  Switching Speed : Not optimized for ultra-high frequency applications (>200kHz)
-  Gate Sensitivity : Standard threshold voltage requires proper gate drive design

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

 Gate Drive Issues 
-  Pitfall : Insufficient gate drive voltage leading to excessive RDS(on) and heating
-  Solution : Ensure gate driver provides 10-12V for full enhancement; use dedicated gate driver ICs for frequencies above 50kHz

 Thermal Management 
-  Pitfall : Inadequate heatsinking causing thermal runaway
-  Solution : Calculate power dissipation (PD = ID² × RDS(on)) and provide sufficient heatsink area; maintain TJ < 125°C

 Voltage Spikes 
-  Pitfall : Drain-source voltage exceeding 600V during switching transients
-  Solution : Implement snubber circuits, proper transformer design with leakage inductance control, and adequate margin (80% of VDSS rating)

 ESD Protection 
-  Pitfall : Gate oxide damage during handling or operation
-  Solution : Include gate-source resistor (10kΩ typical), zener diode protection (15-18V), and follow ESD handling procedures

### 2.2 Compatibility Issues with Other Components

 Gate Drivers 
- Compatible with most standard MOSFET drivers (IR21xx,

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