IC Phoenix logo

Home ›  A  › A61 > AOTF16N50

AOTF16N50 from AOT

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

19.531ms

AOTF16N50

Manufacturer: AOT

500V, 16A N-Channel MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
AOTF16N50 AOT 689 In Stock

Description and Introduction

500V, 16A N-Channel MOSFET The AOTF16N50 is a power MOSFET manufactured by Alpha & Omega Semiconductor (AOS). Here are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Manufacturer**: Alpha & Omega Semiconductor (AOS)  
- **Part Number**: AOTF16N50  
- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS)**: 500V  
- **Current Rating (ID)**: 16A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD)**: 300W  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 0.36Ω (max) at VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th))**: 3V (min) to 5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss)**: 1800pF (typical)  
- **Package**: TO-220F  

These specifications are based on standard operating conditions. For detailed performance curves or application-specific data, refer to the official datasheet.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
AOTF16N50 AO 3000 In Stock

Description and Introduction

500V, 16A N-Channel MOSFET The AOTF16N50 is a power MOSFET manufactured by Alpha & Omega Semiconductor (AOS). Here are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Voltage Rating (VDS):** 500V  
2. **Current Rating (ID):** 16A (at 25°C)  
3. **On-Resistance (RDS(on)):** 0.38Ω (max at VGS = 10V)  
4. **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
5. **Power Dissipation (PD):** 200W (at 25°C)  
6. **Package:** TO-220F  
7. **Technology:** Advanced Planar MOSFET  

These are the factual specifications for the AOTF16N50 as provided by the manufacturer.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
AOTF16N50 AOS 50 In Stock

Description and Introduction

500V, 16A N-Channel MOSFET The AOTF16N50 is a power MOSFET manufactured by Alpha and Omega Semiconductor (AOS). Below are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (VDSS)**: 500V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: 16A  
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 48A  
- **Power Dissipation (PD)**: 300W  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 0.3Ω (max) at VGS = 10V  
- **Total Gate Charge (Qg)**: 45nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss)**: 1500pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-220F  

This MOSFET is designed for high-voltage, high-speed switching applications.  

(Source: AOS datasheet for AOTF16N50)

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips