500V, 13A N-Channel MOSFET The AOTF13N50 is a power MOSFET manufactured by Alpha & Omega Semiconductor (AOS). Here are the key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 13A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 52A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.38Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 30nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 180pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 30pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 50ns (typical)  
- **Package**: TO-220F  

This MOSFET is designed for high-voltage, high-speed switching applications.

500V, 13A N-Channel MOSFET The AOTF13N50 is a Power MOSFET manufactured by Alpha and Omega Semiconductor (AOS). Here are its key specifications:  

- **Voltage Rating (VDS):** 500V  
- **Current Rating (ID):** 13A (at 25°C)  
- **Power Dissipation (PD):** 190W (at 25°C)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.38Ω (max at VGS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 3V (min) to 5V (max)  
- **Gate Charge (Qg):** 45nC (typical at VDS = 400V, ID = 13A, VGS = 10V)  
- **Package:** TO-220F (Fully Insulated)  

These specifications are based on the datasheet from AOS. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.