600V, 5A N-Channel MOSFET # Introduction to the AOT5N60 Electronic Component  

The AOT5N60 is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 600V and a continuous drain current (I_D) of 5A, this component is well-suited for use in power supplies, motor control circuits, and other high-voltage applications.  

Featuring low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching characteristics, the AOT5N60 enhances efficiency in power conversion systems. Its robust design ensures reliable operation under demanding conditions, making it a preferred choice for engineers working on industrial and consumer electronics.  

The MOSFET is housed in a TO-220 package, providing effective thermal dissipation and ease of mounting. Additionally, its gate charge (Q_g) and input capacitance (C_iss) are optimized to minimize switching losses, further improving energy efficiency.  

Key applications include switch-mode power supplies (SMPS), inverters, and LED drivers. The AOT5N60’s combination of high voltage tolerance, low conduction losses, and thermal stability makes it a versatile component in modern electronic designs.  

Engineers and designers seeking a cost-effective yet high-performance MOSFET for medium-power applications will find the AOT5N60 a dependable solution.

600V, 5A N-Channel MOSFET The AOT5N60 is a power MOSFET manufactured by Alpha and Omega Semiconductor (AOS). Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer**: Alpha and Omega Semiconductor (AOS)  
- **Part Number**: AOT5N60  
- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS)**: 600V  
- **Current Rating (ID)**: 5A (at 25°C)  
- **Power Dissipation (PD)**: 50W (at 25°C)  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 1.5Ω (max) at VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th))**: 2V to 4V  
- **Gate Charge (Qg)**: 10nC (typical)  
- **Package**: TO-220  

These are the key specifications for the AOT5N60 MOSFET as provided by AOS.