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AOT5N50 from AO

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AOT5N50

Manufacturer: AO

500V, 5A N-Channel MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
AOT5N50 AO 3000 In Stock

Description and Introduction

500V, 5A N-Channel MOSFET The AOT5N50 is a power MOSFET manufactured by Alpha & Omega Semiconductor (AOS). Below are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Drain-Source Voltage (VDSS)**: 500V  
2. **Continuous Drain Current (ID)**: 5A  
3. **Pulsed Drain Current (IDM)**: 20A  
4. **Power Dissipation (PD)**: 125W  
5. **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±30V  
6. **On-Resistance (RDS(on))**: 0.85Ω (max) at VGS = 10V  
7. **Threshold Voltage (VGS(th))**: 2V (min) to 4V (max)  
8. **Input Capacitance (Ciss)**: 680pF (typ)  
9. **Output Capacitance (Coss)**: 110pF (typ)  
10. **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 25pF (typ)  
11. **Package**: TO-220  

These specifications are based on standard operating conditions (25°C unless noted). For detailed performance curves and application notes, refer to the official datasheet.

Application Scenarios & Design Considerations

500V, 5A N-Channel MOSFET # Technical Documentation: AOT5N50 N-Channel Power MOSFET

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The AOT5N50 is a 500V N-channel enhancement mode power MOSFET designed for high-voltage switching applications. Its primary use cases include:

 Switching Power Supplies 
- Primary-side switching in flyback converters (up to 150W)
- Forward converter applications
- Power Factor Correction (PFC) circuits
- Isolated DC-DC converters

 Motor Control Systems 
- Brushless DC motor drives
- Stepper motor controllers
- Universal motor speed controls
- Industrial motor drives up to 400W

 Lighting Applications 
- Electronic ballasts for fluorescent lighting
- LED driver circuits
- High-intensity discharge lamp controllers

 Industrial Power Systems 
- Solid-state relays
- Power inverters
- Uninterruptible Power Supplies (UPS)
- Induction heating systems

### 1.2 Industry Applications

 Consumer Electronics 
- LCD/LED TV power supplies
- Computer power supplies (ATX)
- Adapter/charger circuits
- Audio amplifier power stages

 Automotive Systems 
- Electric vehicle charging systems
- Automotive lighting controls
- Power window/lock controllers
- DC-DC converters in hybrid vehicles

 Renewable Energy 
- Solar microinverters
- Wind turbine controllers
- Battery management systems
- Grid-tie inverters

 Industrial Automation 
- PLC output modules
- Motor drives for conveyor systems
- Robotic arm controllers
- Process control equipment

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High Voltage Rating : 500V drain-source breakdown voltage enables operation in universal input (85-265VAC) applications
-  Low Gate Charge : Typical Qg of 15nC allows for high-frequency switching up to 100kHz
-  Fast Switching : Typical tr/tf of 15ns/20ns reduces switching losses
-  Low On-Resistance : RDS(on) of 1.8Ω (typical) minimizes conduction losses
-  Avalanche Energy Rated : 150mJ capability provides robustness against voltage spikes
-  Improved dv/dt Immunity : Enhanced body diode characteristics reduce false triggering

 Limitations: 
-  Gate Threshold Sensitivity : VGS(th) of 2-4V requires careful gate drive design
-  Thermal Considerations : TO-220 package limits maximum power dissipation without heatsinking
-  Parasitic Capacitance : Ciss of 600pF (typical) requires adequate gate drive current
-  Voltage Derating : Recommended 20% derating for long-term reliability
-  Body Diode Recovery : Qrr of 0.6μC may require external anti-parallel diodes in some applications

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

 Gate Drive Issues 
*Pitfall*: Insufficient gate drive current causing slow switching and excessive losses
*Solution*: Use gate drivers capable of providing 1-2A peak current with proper bypass capacitors

*Pitfall*: Gate oscillation due to parasitic inductance in gate loop
*Solution*: Implement gate resistors (10-100Ω) close to MOSFET gate pin

 Thermal Management 
*Pitfall*: Inadequate heatsinking leading to thermal runaway
*Solution*: Calculate junction temperature using: TJ = TA + (RθJA × PD)
  - Use thermal interface material
  - Ensure proper airflow
  - Consider heatsink with RθSA < 5°C/W for high power applications

 Voltage Spikes 
*Pitfall*: Drain-source voltage exceeding 500V during turn-off
*Solution*: Implement snubber circuits (RC or RCD) and proper transformer design

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
AOT5N50 AOS 50 In Stock

Description and Introduction

500V, 5A N-Channel MOSFET The AOT5N50 is an N-channel MOSFET manufactured by Alpha and Omega Semiconductor (AOS). Here are its key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (VDSS)**: 500V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: 5A  
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 20A  
- **Power Dissipation (PD)**: 125W  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 0.85Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th))**: 2V to 4V  
- **Input Capacitance (Ciss)**: 600pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss)**: 110pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 30pF (typ)  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on AOS datasheets and may vary under different operating conditions.

Application Scenarios & Design Considerations

500V, 5A N-Channel MOSFET # Technical Documentation: AOT5N50 N-Channel Power MOSFET

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The AOT5N50 is a 500V, 5A N-channel enhancement mode power MOSFET designed for high-voltage switching applications. Its primary use cases include:

 Switching Power Supplies 
-  Flyback Converters : Utilized as the main switching element in AC/DC adapters, LED drivers, and auxiliary power supplies (5-100W range)
-  Forward Converters : Employed in higher power applications requiring efficient primary-side switching
-  Power Factor Correction (PFC) Circuits : Used in boost PFC stages for compliance with harmonic current standards (IEC 61000-3-2)

 Motor Control Systems 
-  Brushless DC Motor Drives : Switching element in three-phase inverter bridges for appliances and industrial controls
-  Stepper Motor Drivers : High-voltage switching in unipolar drive configurations
-  Universal Motor Speed Controllers : Triac replacement in AC phase-control circuits

 Lighting Applications 
-  Electronic Ballasts : Fluorescent lamp ballast circuits requiring 400V+ switching capability
-  LED Drivers : Constant current drivers for high-brightness LED arrays
-  HID Lamp Igniters : Switching component in high-intensity discharge lamp starting circuits

 Industrial and Consumer Electronics 
-  Solid-State Relays : Power switching in AC load control applications
-  DC/DC Converters : Isolated converters in telecom and industrial power systems
-  Battery Charging Systems : High-voltage input charging circuits for e-bikes and power tools

### 1.2 Industry Applications

 Consumer Electronics 
- LCD/LED TV power supplies
- Desktop computer ATX power supplies
- Printer and scanner power modules
- Game console power adapters

 Industrial Automation 
- PLC I/O modules requiring high-voltage switching
- Sensor power conditioning circuits
- Factory automation control systems
- Test and measurement equipment

 Renewable Energy Systems 
- Micro-inverter DC/AC conversion stages
- Solar charge controller input protection
- Wind turbine auxiliary power supplies

 Automotive Electronics 
- On-board charger circuits for electric vehicles (auxiliary circuits only)
- LED headlight drivers
- Electric power steering auxiliary supplies

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High Voltage Rating : 500V VDS rating provides ample margin for 85-265VAC universal input applications
-  Low Gate Charge : Typical Qg of 15nC enables high-frequency switching up to 100kHz
-  Fast Switching Speed : Typical tr/tf of 25ns/15ns reduces switching losses
-  Low RDS(on) : 1.2Ω maximum at VGS=10V minimizes conduction losses
-  Avalanche Energy Rated : Specified EAS of 180mJ provides robustness against inductive switching stresses
-  Improved dv/dt Immunity : Enhanced body diode characteristics reduce parasitic turn-on risks

 Limitations: 
-  Moderate Current Rating : 5A continuous current limits high-power applications
-  Package Constraints : TO-220 package requires proper heatsinking for power dissipation >2W
-  Gate Threshold Sensitivity : VGS(th) of 2-4V requires careful gate drive design to avoid partial turn-on
-  Output Capacitance : Coss of 50pF typical creates capacitive switching losses at high frequencies
-  Thermal Considerations : RθJC of 1.67°C/W necessitates thermal management in continuous operation

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Inadequate Gate Drive 
-  Problem : Slow switching due to insufficient gate drive current, leading to excessive switching losses
-  Solution : Implement gate driver IC (

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