500V, 5A N-Channel MOSFET The AOT5N50 is a power MOSFET manufactured by Alpha & Omega Semiconductor (AOS). Below are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 500V  
2. **Continuous Drain Current (I_D)**: 5A  
3. **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 20A  
4. **Power Dissipation (P_D)**: 125W  
5. **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
6. **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.85Ω (max) at V_GS = 10V  
7. **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V (min) to 4V (max)  
8. **Input Capacitance (C_iss)**: 680pF (typ)  
9. **Output Capacitance (C_oss)**: 110pF (typ)  
10. **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 25pF (typ)  
11. **Package**: TO-220  

These specifications are based on standard operating conditions (25°C unless noted). For detailed performance curves and application notes, refer to the official datasheet.

500V, 5A N-Channel MOSFET The AOT5N50 is an N-channel MOSFET manufactured by Alpha and Omega Semiconductor (AOS). Here are its key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 20A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.85Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 600pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 110pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 30pF (typ)  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on AOS datasheets and may vary under different operating conditions.