IC Phoenix logo

Home ›  A  › A61 > AOT462L

AOT462L from AOS

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

AOT462L

Manufacturer: AOS

60V N-Channel MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
AOT462L AOS 50 In Stock

Description and Introduction

60V N-Channel MOSFET The AOT462L is a power MOSFET manufactured by Alpha & Omega Semiconductor (AOS). Below are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer**: Alpha & Omega Semiconductor (AOS)  
- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS)**: 60V  
- **Current Rating (ID)**: 30A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD)**: 125W  
- **RDS(on)**: 18mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V  
- **Package**: TO-220  

This information is based on available datasheet details for the AOT462L. For exact performance characteristics, always refer to the official AOS datasheet.

Application Scenarios & Design Considerations

60V N-Channel MOSFET # Technical Document: AOT462L Power MOSFET

 Manufacturer:  Alpha & Omega Semiconductor (AOS)
 Component:  AOT462L (N-Channel Enhancement Mode MOSFET)
 Document Revision:  1.0

---

## 1. Application Scenarios

The AOT462L is a high-performance N-Channel MOSFET utilizing Alpha & Omega Semiconductor's advanced AlphaMOS™ technology. It is engineered for applications requiring high efficiency, low on-resistance (RDS(on)), and fast switching in a compact, thermally enhanced DFN 3x3 package.

### Typical Use Cases

*    Synchronous Buck Converters:  Serving as the low-side (synchronous) switch in DC-DC step-down converters for point-of-load (POL) power supplies in computing and networking equipment. Its low RDS(on) minimizes conduction losses, directly improving overall converter efficiency.
*    Motor Drive and Control Circuits:  Used in H-bridge or half-bridge configurations for driving brushed DC or stepper motors in applications like robotics, automotive actuators (e.g., power windows, seat adjusters), and consumer appliances. The fast switching capability allows for efficient PWM speed control.
*    Load Switching and Power Distribution:  Acting as an ideal switch for hot-swap, OR-ing, and general load switching in server backplanes, telecom systems, and battery management systems (BMS). Its low gate charge (Qg) facilitates fast, clean turn-on/off with minimal drive circuit stress.
*    DC-DC Converter Secondary-Side Rectification:  In isolated flyback or forward converters, it can be used for synchronous rectification, replacing Schottky diodes to significantly reduce rectification losses and improve power density.

### Industry Applications

*    Computing & Servers:  CPU/GPU VRMs, memory power, and motherboard power rails.
*    Telecommunications & Networking:  Power modules for routers, switches, and base station radio units.
*    Consumer Electronics:  Power management in gaming consoles, high-end TVs, and audio amplifiers.
*    Automotive (Non-Safety Critical):  Infotainment systems, LED lighting drivers, and auxiliary power controls.
*    Industrial Electronics:  Programmable Logic Controller (PLC) I/O modules, embedded computing, and low-voltage motor drives.

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*    High Efficiency:  Extremely low RDS(on) (typ. 1.8 mΩ @ VGS=10V) minimizes conduction power loss (P = I²R).
*    Fast Switching Performance:  Low total gate charge (Qg) and gate resistance enable high-frequency operation (up to several hundred kHz), reducing the size of magnetic components.
*    Excellent Thermal Performance:  The DFN 3x3 package features an exposed thermal pad, providing a very low junction-to-case thermal resistance (RθJC), which is critical for heat dissipation in space-constrained designs.
*    High Current Capability:  Continuous drain current (ID) rating of 60A supports high-power applications.
*    Robustness:  Avalanche energy (EAS) and diode reverse recovery characteristics are specified, ensuring reliability in inductive switching environments.

 Limitations: 
*    Voltage Rating:  The 30V drain-source voltage (VDS) rating limits its use to low-voltage bus applications (typically 12V or lower input rails).
*    Gate Sensitivity:  Like all MOSFETs, it is susceptible to damage from static electricity (ESD) and gate-source overvoltage (exceeding ±20V). Careful handling and circuit protection are mandatory.
*    Package Soldering:  The DFN package requires precise PCB pad design and controlled reflow soldering processes to ensure a reliable thermal and electrical connection to the board.
*    Parasitic Inductance Impact:  At very high switching speeds (di/dt), parasitic PCB trace inductance

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips