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AOT416 from AOS

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AOT416

Manufacturer: AOS

100V N-Channel MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
AOT416 AOS 50 In Stock

Description and Introduction

100V N-Channel MOSFET Part AOT416 is manufactured by AOS (Alpha and Omega Semiconductor). Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer:** AOS (Alpha and Omega Semiconductor)  
- **Part Number:** AOT416  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 40V  
- **Current Rating (ID):** 40A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 80W  
- **RDS(ON) (Max at VGS = 10V):** 4.5mΩ  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

These are the confirmed specifications for the AOT416 MOSFET as provided by AOS. No additional guidance or recommendations are included.

Application Scenarios & Design Considerations

100V N-Channel MOSFET # Technical Documentation: AOT416 Power MOSFET

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The AOT416 is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications requiring high efficiency and fast switching speeds. Its primary use cases include:

 DC-DC Converters : The AOT416 excels in synchronous buck converters, particularly in point-of-load (POL) applications where its low RDS(on) (typically 4.1 mΩ at VGS = 10V) minimizes conduction losses. Its fast switching characteristics (Qgd = 11 nC typical) make it suitable for high-frequency switching up to 500 kHz in modern voltage regulator modules.

 Motor Control Systems : In brushless DC (BLDC) motor drives and stepper motor controllers, the AOT416 provides reliable switching for PWM-controlled H-bridge configurations. Its avalanche energy rating (EAS = 320 mJ) ensures robustness against inductive kickback in motor windings.

 Power Management Units : The component serves as an ideal load switch in battery-powered devices, offering low gate threshold voltage (VGS(th) = 2.0V typical) compatible with modern microcontroller GPIO pins. This enables efficient power gating for various subsystems.

### 1.2 Industry Applications

 Consumer Electronics :
- Smartphone power management ICs (PMICs)
- Tablet and laptop DC-DC conversion circuits
- Gaming console power delivery networks
- USB Power Delivery (PD) controllers

 Automotive Systems :
- LED lighting drivers (headlights, interior lighting)
- Window lift and seat control modules
- Infotainment system power supplies
- 12V to 5V/3.3V buck converters (non-safety critical)

 Industrial Equipment :
- PLC I/O module switching elements
- Small motor drives for conveyor systems
- Switching power supplies for control systems
- Battery management system (BMS) protection circuits

 Telecommunications :
- Base station power amplifiers
- Network switch power supplies
- Fiber optic transceiver power regulation

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages :
-  Exceptional Efficiency : Low RDS(on) combined with optimized gate charge (Qg = 60 nC typical) delivers high efficiency across load ranges
-  Thermal Performance : Low thermal resistance (RθJC = 0.75°C/W) enables better heat dissipation in compact designs
-  Fast Switching : Typical rise time (tr) of 15 ns and fall time (tf) of 20 ns at 10V VGS reduces switching losses
-  Avalanche Ruggedness : Specified avalanche capability enhances reliability in inductive load applications
-  Space Efficiency : DFN5x6 package offers excellent power density for space-constrained applications

 Limitations :
-  Voltage Constraint : Maximum VDS of 40V limits use in higher voltage applications (>48V systems)
-  Gate Sensitivity : Requires careful gate drive design due to moderate gate capacitance (Ciss = 3200 pF typical)
-  Package Limitations : DFN package may present thermal challenges without proper PCB thermal design
-  Current Handling : Continuous drain current (ID) of 100A requires substantial copper area for heat dissipation

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Inadequate Gate Driving 
*Problem*: Underdriving the gate (VGS < 8V) increases RDS(on) significantly, while overdriving (>12V) risks gate oxide damage.
*Solution*: Implement gate driver ICs with 10-12V output, ensuring proper gate resistor selection (typically 2-10Ω) to control switching speed and prevent ringing.

 Pitfall 2: Thermal Management Oversight 
*Problem*: Ignoring junction

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